半导体结构的制造方法技术

提供一种半导体结构及其制造方法。在一实施例中，半导体结构包括：一源极特征部件及一漏极特征部件、设置于源极特征部件与漏极特征部件之间的一通道结构、设置于通道结构及漏极特征部件上的一半导体层、设置于半导体层上的一介电层、设置于源极特征部件上并延伸穿过半导体层及介电层的一背侧源极接点以及设置于介电层上并与背侧源极接点接触的一背侧电源轨。轨。轨。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术实施例是关于一种半导体技术，且特别为关于一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)产业经历了指数型快速增长。集成电路(IC)材料及设计方面的技术进步产生了多世代的集成电路(IC)，每一世代集成电路(IC)的电路都比上一世代更小更加复杂。在集成电路(IC)演进的制程期间，功能密度(即，每一芯片面积上内连接装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造制程可形成的最小部件(或线路))却为缩小。此种微缩制程通常通过提高生产效率及降低相关成本而带来益处。上述微缩也增加了制程及制造半导体装置的复杂性。
[0003]举例来说，随着集成电路(IC)技术向更小的技术世代发展，导入了多栅极装置，以通过增加栅极
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通道耦合、降低截止状态电流及减少短通道效应(short
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channel effect，SCE)来改善栅极控制。多栅极装置一般是指具有栅极结构，或其部分位于通道区的一侧以上。鳍式场效应晶体管(Fin
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：形成一复合基底，其包括一基底、位于该基底上的一第一半导体层、位于该第一半导体层上的一第二半导体层、位于该第二半导体层上的一第三半导体层以及位于该第三半导体层上的一第四半导体层；自该第四半导体层形成一鳍部结构；形成一虚置栅极堆叠于该鳍部结构的一通道区上；凹陷该鳍部结构的一源极区及一漏极区，以形成一源极开口及一漏极开...

【专利技术属性】
技术研发人员：王屏薇，杨智铨，林祐宽，叶主辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：