半导体装置的形成方法制造方法及图纸

公开半导体装置的形成方法。例示性的半导体装置包括第一半导体堆叠与第二半导体堆叠于基板上，其中第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的每一者包括向上堆叠且彼此分开的半导体层、位于第一半导体堆叠与第二半导体堆叠之间的虚置间隔物，其中虚置间隔物接触第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的每一半导体层的第一侧壁；以及栅极结构包覆第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的每一半导体层的第二侧壁、上表面、与下表面。与下表面。与下表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置与其制作方法，更特别涉及鳍状场效晶体管或其他三维半导体装置的制作方法。

技术介绍

[0002]集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作制程所能产生的最小构件或线路)减少而增加。尺寸缩小的制程通常有利于增加产能与降低相关成本。
[0003]尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路的复杂度。为实现这些进展，集成电路的处理与制造亦须类似发展。举例来说，已导入三维晶体管如鳍状场效晶体管以置换平面晶体管。虽然现有的鳍状场效晶体管装置与制作鳍状场效晶体管装置的方法通常适用于预期目的，但无法符合所有方面的需求。举例来说，目前的鳍状场效晶体管装置面临栅极漏电流的问题，期会增加能耗并降低集成电路可信度，使鳍状场效晶体管的效能劣化。综上所述，需要改善装置。

技术实现思路

[0004]例示性的半导体装置的形成方法包括形成半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一半导体鳍状物于一基板上；形成多个间隔物于该半导体鳍状物上，其中所述间隔物形成一沟槽于该半导体鳍状物上；沉积一高介电常数的介电层于该沟槽中；在一制程工具中形成一盖层于该高介电常数的介电层上；对该盖层进行一退火制程；移除该盖层以露出该高介电常数的介电层；以及形成一金属栅极于该高介电常数的介电层上。2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，形成该盖层于该高介电常数的介电层上的步骤包括：在该制程工具中沉积一高介电常数的盖材料于该高介电常数的介电层上；以及将一制程气体通入该制程工具的该高介电常数的盖材料的上表面上，以形成该盖层。3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，移除该盖层的步骤包括一仅湿式蚀刻制程。4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：在移除该盖层之后对该高介电常数的介电层进行另一退火制程。5.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一半导体鳍状物于一基板上；形成多个间隔物于该半导体鳍状物上，其中所述间隔物形成一沟槽于该半导体鳍状物上；形成一界面层于该沟槽中；沉积一高介电常数的介电层于该界面层上；对该高介电常数的介电层进行一退火制程；在一制程工具中形成一盖层于该高介电常数的介电层上；对该盖层进行另一退火制程；移除该盖层以露出该高介...

【专利技术属性】
技术研发人员：许智育，陈建豪，陈嘉伟，廖善美，陈蕙祺，杨政鸿，林士豪，游国丰，杨丰诚，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：