半导体装置包括鳍状结构位于基板上。半导体装置包括第一界面层跨过鳍状结构。半导体装置包括栅极介电层沿着鳍状结构的侧壁延伸。半导体装置包括第二界面层覆盖鳍状结构的上表面。半导体装置包括栅极结构跨过鳍状结构。第一界面层与栅极介电层位于栅极结构...

半导体装置的形成方法包括：提供自基板延伸的鳍状物，且鳍状物包括多个半导体层，其中相邻的半导体层之间具有第一距离。方法还包括提供自基板延伸并与半导体层相邻的介电鳍状物，其中每一半导体层的末端与介电鳍状物的第一侧壁之间具有第二距离。第二距离...

此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位...

在实施例中，方法包括在衬底上方形成第一栅电极。该方法还包括在第一栅电极上方形成第一栅极介电层。该方法还包括在第一栅极介电层上方沉积半导体层。该方法还包括在第一栅极介电层和半导体层上方形成源极/漏极区，源极/漏极区与半导体层的端部重叠。该...

本公开的各种实施例针对包括引线键合阻尼器的微机电系统封装件。壳体结构位于支撑衬底上，并且微机电系统结构位于支撑衬底和壳体结构之间。微机电系统结构包括锚固件、弹簧和可移动块。弹簧从锚固件延伸到可移动块，以将可移动块悬挂在支撑衬底和壳体结构...

本揭露涉及一种用于测量环境静电的装置及方法与环境静电监控系统。所述用于测量环境静电的装置包括静电计、导电板及切换器。所述静电计包括传感器。所述导电板相距所述静电计一定距离设置且对准所述静电计的所述传感器。所述切换器与所述导电板电连接。所...

本发明实施例涉及一种空气处理系统。一种容器包含容器主体及空气处理系统。所述容器主体包含界定用于接纳晶片的内部空间的多个壁。所述空气处理系统附接到所述容器主体。所述空气处理系统包含交换模块、空气抽取模块、第一污染物移除模块、处理模块、第二...

本揭露涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。本揭露提供一种测量方法，所述测量方法包含：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖；通过所述封盖的开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的顶部表面相关联的第...

本发明实施例涉及封装结构及形成封装结构的方法。本揭露提供一种封装结构。所述封装结构包含：基底；装置，其放置于所述基底上；盖，其放置于所述基底及所述装置上方且与所述装置间隔开；及第一金属组件，其放置于所述装置与所述盖之间，其中所述第一金属...

本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包含衬底；重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；第一导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第二导电柱，放置在所述导电件的一者上...

封装结构包括：焊料部件；第一再分布层结构，位于焊料部件上；以及管芯，安装在第一再分布层结构上并且电耦接至第一再分布层结构。第一再分布层结构包括填充有导热介电材料的一个或多个介电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。器件及其制造...

一种用于电容提取的方法包括：对半导体布局的一个或多个第一区执行第一电容提取；对半导体布局的一个或多个第二区执行第二电容提取，第二电容提取的分辨率小于第一电容提取的分辨率；基于第一电容提取和第二电容提取的结果来为半导体布局构建网表；以及基...

集成电路包括电源轨组、有源区域组、第一导线组以及第一通孔组和第二通孔组。电源轨组配置为提供第一供给电压或第二供给电压，并且位于衬底的背侧的第一层级上。有源区域组是衬底的前侧的第二层级。第一导线组在第二方向上延伸并且与有源区域组重叠。第一...

本公开提供一种半导体结构。根据本发明实施例的半导体结构包含第一通道构件和设置在第一通道构件上的第二通道构件，耦接至第一通道构件的第一通道延伸部件，耦接至第二通道构件的第二通道延伸部件，以及设置在第一通道延伸部件与第二通道延伸部件之间的内...

本公开提出一种半导体结构。用以制造位于纳米结构晶体管中的源极/漏极外延结构与金属栅极结构之间的间隔物结构的方法。此方法包括形成具有交替排列的第一及第二纳米结构元件的鳍片结构于基板上。此方法亦包括蚀刻鳍片结构中的第一鳍片结构的边缘部分以形...

方法和装置提供设置在基底上的第一鳍片结构、第二鳍片结构和第三鳍片结构。介电鳍片是形成在第一鳍片结构与第二鳍片结构之间，且导线是形成在第二鳍片结构与第三鳍片结构之间。间。间。

提供一种半导体装置的制造方法。上述方法包括提供一鳍部层。形成多个虚置栅极于鳍部层上，其中虚置栅极形成为从虚置栅极的一顶部区域的一较小宽度至虚置栅极的一底部区域的一较大宽度的锥形。形成多个侧壁间隙壁于虚置栅极的多个侧壁上。形成一层间介电层...

提供一种半导体装置的制造方法。此方法包括形成多个半导体鳍部于一基底上。形成一第一虚置栅极于半导体鳍部上。形成一凹槽于第一虚置栅极上，且凹槽位于半导体鳍部之间。形成一虚置鳍部材料于凹槽内。去除部分的虚置鳍部材料，以露出第一虚置栅极的上表面...

一种有机中介层及其制造方法，该有机中介层包括内埋重分布互连结构的介电材料层、位于介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构、以及位于介电材料层的第二侧的晶粒侧凸块结构。在包括第一晶粒侧凸块结构的第一区域与包括第二晶粒侧凸块结构的第二区域之间存在...

本公开提出一种等离子体蚀刻系统。等离子体蚀刻系统用于金属氧化物的自由基活化蚀刻。等离子体蚀刻系统包括腔室；配置以保持其上设置有一金属氧化物的芯片的芯片保持器；流体地连接至腔室，且配置以将气体供应至腔室的第一气体管线；配置以从气体产生等离...