半导体工艺所用的方法技术

此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。基封端表面上。基封端表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺所用的方法
[0001]本申请是申请人台湾积体电路制造股份有限公司的申请日为2019年2月1日的、专利技术名称为“半导体工艺所用的方法”、申请号为201910103532.0的专利技术申请的分案申请。


[0002]本专利技术实施例涉及半导体装置，更特别涉及对相同半导体基板上的不同种类金属栅极所用的功函数材料进行预处理。

技术介绍

[0003]在制作场效应晶体管如鳍状场效应晶体管时，可采用金属栅极而非多晶硅栅极以改善装置效能。形成金属栅极的步骤可包含依序形成栅极介电层、阻障层、功函数层、与金属衬垫层于高深宽比的沟槽中，接着将栅极材料填入沟槽。功函数层可采用不同材料以用于不同种类的晶体管如p型场效应晶体管或n型场效应晶体管，以微调晶体管的临界电压并依需求增进装置的电性效能。然而随着尺寸缩小，出现新的挑战。

技术实现思路

[0004]本专利技术一实施例提供半导体工艺所用的方法，其包括：暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上，第一装置与第二装置位于基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺所用的方法，包括：形成一栅极介电层于一第一沟槽与一第二沟槽中，该第一沟槽与该第二沟槽各自定义于一介电结构中并与一基板上的一鳍状物相交；形成一第一金属层于该第一沟槽中的该栅极介电层上；形成一第二金属层于该第二沟槽中的该栅极介电层上，其中该第一金属层与该第二金属层的化学组成彼此不同；直接形成一功函数调整层于该第一沟槽中的该第一金属层与该第二沟槽中的该第二金属层上，且该第一金属层上的该功函数调整层的厚度不同于该第二金属层上的该功函数调整层的厚度；以及分别形成多个栅极于该第一沟槽与该第二沟槽中的该功函数调整层上。2.如权利要求1所述的半导体工艺所用的方法，还包括：形成该栅极介电层于一第三沟槽中，且该第三沟槽定义于该介电结构中并与该基板上的鳍状物相交；形成一第三金属层于该第三沟槽中的该栅极介电层上，其中该第三金属层与该第一金属层及该第二金属层的化学组成不同；直接形成该功函数调整层于该第三沟槽中的该第三金属层上，且该第三金属层上的该功函数调整层的厚度不同于该第一金属层上的该功函数调整层及该第二金属层上的该功函数调整层的厚度；以及形成一栅极于该第三沟槽中的该功函数调整层上。3.如权利要求2所述的半导体工艺所用的方法，其中该功...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡承晏，吴仲强，黄泰维，锺鸿钦，李威缙，李达元，苏庆煌，庄媖涓，刘冠廷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：