半导体装置制造方法及图纸

方法和装置提供设置在基底上的第一鳍片结构、第二鳍片结构和第三鳍片结构。介电鳍片是形成在第一鳍片结构与第二鳍片结构之间，且导线是形成在第二鳍片结构与第三鳍片结构之间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术是有关于一种半导体装置及其制造方法，特别是有关于具有嵌入 式导线的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已历经了指数式成长。集成电 路材料及设计的技术的进步造成集成电路世代的产生，每一世代的电路比前 一世代更小且更复杂。在集成电路的发展过程中，通常增加了功能密度(即每 芯片面积中互连的装置数量)，而降低了几何尺寸(即使用制程所能创造的最 小组件(或线路))。这种微缩化制程一般可通过增加生产效率及降低相关成本 以提供许多利益。这样的微缩化也增加了集成电路的生产和制程的复杂度。
[0003]举例而言，随着集成电路(IC)技术朝向更小的技术节点发展，开始导入 多栅极装置以增加栅极
‑
通道耦合、降低关闭状态(off
‑
state)的电流，以及降低 短通道效应(short
‑
channel effect，SCE)。通常将多栅极装置视作具有栅极结 构或其部分设置于通道区的多侧上的装置。鳍式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一鳍片结构、一第二鳍片结构和一第三鳍片结构，从一基底延伸；一第一源极/漏极部件，在该第一鳍片结构上；一第二源极/漏极部件，在该第二鳍片结构上；一第三源...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智铨，林京毅，苏信文，林士豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：