封装结构及有关封装结构的测量方法技术

本揭露涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。本揭露提供一种测量方法，所述测量方法包含：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖；通过所述封盖的开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。本揭露也提供一种用于所述测量的封装结构。露也提供一种用于所述测量的封装结构。露也提供一种用于所述测量的封装结构。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及有关封装结构的测量方法


[0001]本专利技术实施例涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。

技术介绍

[0002]半导体装置通常使用模塑材料来进行封装，且接着可被安装在包含例如印刷电路板(PCB)的电路系统的基底上。在对半导体装置进行封装之后，模塑材料内部的有关半导体装置的一些参数难以确定。常规测量方法不能精确地获得参数，这是因为这些方法不可避免地积累封装结构中组件的偏差或容差。所导出参数通常不正确或不够精确。
[0003]因此，存在修改封装结构及用于确定封装结构内部的参数的测量方法的连续需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例涉及一种测量方法，其包括：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口，且所述开口包含靠近所述装置的下部端；通过所述开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的所述顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的所述下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的所述顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。
[0005]本专利技术的实施例涉及一种测量方法，其包括：将装置包封在封装结构内，所述封装结构包括：基底；封盖，其覆盖所述基底及所述装置；侧壁，其连接所述基底与所述封盖；第一电极对，其放置在所述装置的顶部表面与面向所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间；通过所述第一电极对测量所述装置与所述封装结构之间的电容；及基于所述电容的所述测量而导出所述顶部表面与所述内部表面之间的距离。
[0006]本专利技术的实施例涉及一种封装结构，其包括：基底；装置，其放置在所述基底上；及封盖，其放置在所述基底及所述装置之上，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口。
附图说明
[0007]当与随附图式一起阅读时，依据以下详细说明最佳地理解本揭露的各方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种特征的尺寸。
[0008]图1是根据本揭露的一些实施例的展示封装结构的示意性横截面图。
[0009]图2及图3是根据本揭露的其它实施例的展示在图1中具有经不同塑形的开口的封装结构的示意性横截面图。
[0010]图4到图8是根据本揭露的一些实施例的展示在图1到图3中的任一者中具有各种额外组件的封装结构的示意性横截面图。
[0011]图9是根据本揭露的一些实施例的展示另一封装结构的示意性横截面图。
[0012]图10展示根据本揭露的一些实施例的呈各种形状的开口的俯视图。
[0013]图11到图14是根据本揭露的一些实施例的展示其它封装结构的示意性横截面图。
[0014]图15是根据本揭露的一些实施例的图解说明制造封装结构的方法的流程图。
[0015]图16A到图16K是根据本揭露的一些实施例的图解说明图11中的封装结构的顺序制作级的示意性横截面图。
[0016]图17是根据本揭露的一些实施例的图解说明制造封装结构的另一方法的流程图。
[0017]图18A到图18I是根据本揭露的一些实施例的图解说明图12中的封装结构的顺序制作级的示意性横截面图。
[0018]图19是根据本揭露的一些实施例的展示用于测量封装结构内的间隙宽度的方法的流程图。
[0019]图20A及图20B是根据本揭露的一些实施例的展示使用图19中的方法进行顺序操作的示意性横截面图。
[0020]图20C是根据本揭露的一些实施例的展示将图19中的方法应用于图9中的封装结构P20的示意性横截面图。
[0021]图21是根据本揭露的一些实施例的展示用于测量封装结构内的间隙宽度的另一方法的流程图。
具体实施方式
[0022]以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些实例仅为实例且并非打算为限制性的。举例来说，在以下描述中在第二特征之上或上形成第一特征可包含其中第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且也可包含其中可在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。在一些实施例中，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简单及清晰目的且并非以其本身来说指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0023]此外，为了便于描述，本文中可使用空间相对术语(例如，“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等)来描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如各图中所图解说明。在一些实施例中，所述空间相对术语打算囊括在使用或操作中装置的除各图中所描绘的定向之外的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且可因此同样地解释本文中所使用的空间相对描述语。
[0024]尽管陈述本揭露的宽广范畴的数值范围及参数是近似值，但在特定实例中陈述的数值应尽可能精确地报告。然而，任何数值固有地含有必然由相应测试测量中存在的标准偏差所引起的特定误差。而且，如本文中所使用，术语“基本上”、“大约”或“约”一般意指在可由所属领域的技术人员所考虑的值或范围内。另一选择是，术语“基本上”、“大约”或“约”意指当由所属领域的技术人员考虑时在平均值的可接受标准误差内。所属领域的技术人员可理解，可接受标准误差可根据不同技术而发生变化。除在操作/工作实例中之外，或者除
非另外明确规定，否则本文中所揭示的所有数值范围、量、值及百分比(例如用于材料数量、持续时间、温度、操作条件、量的比率等等的那些数值范围、量、值及百分比)应理解为在所有例子中都由术语“基本上”、“大约”或“约”修饰。因此，除非指示相反情形，否则在本揭露及所附权利要求书中所陈述的数值参数是可视需要而发生变化的近似值。在最低限度下，每一数值参数应至少鉴于所报告有效数字的数且通过应用一般舍入技术来解释。本文中可将范围表达为从一个端点到另一端点或介于两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所揭示的所有范围都包含端点。
[0025]对于由模塑材料包封以形成封装结构的一些装置，存在在装置与模塑材料之间留下空间的需求。举例来说，包含透镜模块的光学装置需要间隙，以便容纳从透镜到例如CMOS图像传感器(CIS)或经电荷耦合装置(CCD)的图像传感器的适当焦距。
[0026]控制封装结构内部的间隙大小(例如，间隙宽度或间隙体积)是重要的。举例来说，在一些应用中，出于例如封装结构内部的装置的空气流动阻力或散热的考虑，需要精确控制间隙大小。在一些实施例中，当装置经受外部冲击或机械力时，间隙大小影响装置的灵活性。因此，间隙大小一般来说涉及封装结构内的装置的耐久性，尤其对于光学装置来说。特定来说，间隙大小对这些光学装置的性能至关重要。
[0027]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量方法，其包括：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口，且所述开口包含靠近所述装置的下部端；通过所述开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的所述顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的所述下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的所述顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。2.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述照射包含调整所述装置的所述顶部表面上或所述封盖的所述开口的所述下部端处的焦点。3.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述第一焦平面与所述装置的所述顶部表面基本上共面，且所述第二焦平面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的所述内部表面基本上共面。4.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述开口是在将所述封盖放置在所述基底及所述装置之上之前形成的。5.一种测量方法，其包括：将装置包封在封装结构内，所述封装结构包括：基底；封盖，其覆盖所述基底及所述装置；侧壁，其连接所述基底与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张贵松，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：