半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置的制造方法。上述方法包括提供一鳍部层。形成多个虚置栅极于鳍部层上，其中虚置栅极形成为从虚置栅极的一顶部区域的一较小宽度至虚置栅极的一底部区域的一较大宽度的锥形。形成多个侧壁间隙壁于虚置栅极的多个侧壁上。形成一层间介电层于虚置栅极之间的多个区域，且接触侧壁间隙壁。去除虚置栅极，以在层间介电内形成多个开口，并于层间介电的多个开口侧边露出侧壁间隙壁。以侧壁间隙壁的顶部区域的蚀刻速率高于侧壁间隙壁的底部区域的蚀刻速率来蚀刻侧壁间隙壁。底部区域的蚀刻速率来蚀刻侧壁间隙壁。底部区域的蚀刻速率来蚀刻侧壁间隙壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术实施例是关于一种半导体技术，且特别为关于一种半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)产业经历了指数型快速增长。集成电路(IC)材料及设计方面的技术进步产生了多世代的集成电路(IC)，每一世代集成电路(IC)的电路都比上一世代更小更加复杂。在集成电路(IC)演进的制程期间，功能密度(即，每一芯片面积上内连接装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造制程可形成的最小部件(或线路))却为缩小。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法。上述方法包括：提供一鳍部层；形成多个虚置栅极于鳍部层上，其中虚置栅极形成为从虚置栅极的一顶部区域的一较小宽度至虚置栅极的一底部区域的一较大宽度的锥形；形成多个侧壁间隙壁于虚置栅极的多个侧壁上；形成一层间介电层于虚置栅极之间的多个区域，且接触侧壁间隙壁；去除虚置栅极，以在层间介电内形成多个开口，并于层间介电的多个开口侧边露出侧壁间隙壁；以及以侧壁间隙壁的顶部区域的蚀刻速率高于侧壁间隙壁的底部区域的蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供一鳍部层；形成多个虚置栅极于该鳍部层上，其中该虚置栅极形成为从该虚置栅极的一顶部区域的一较小宽度至该虚置栅极的一底部区域的一较大宽度的锥形；形成多个侧壁间隙壁于所述虚置栅极的多个侧壁上；形成一层间介电层于所述虚置栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，李筱雯，林志翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：