半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置的制造方法。此方法包括形成多个半导体鳍部于一基底上。形成一第一虚置栅极于半导体鳍部上。形成一凹槽于第一虚置栅极上，且凹槽位于半导体鳍部之间。形成一虚置鳍部材料于凹槽内。去除部分的虚置鳍部材料，以露出第一虚置栅极的上表面，并形成一虚置鳍部。形成一第二虚置栅极于第一虚置栅极的暴露上表面上。暴露上表面上。暴露上表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)产业经历了指数型快速增长。集成电路(IC)材料及设计方面的技术进步产生了多世代的集成电路(IC)，每一世代集成电路(IC)的电路都比上一世代更小更加复杂。在集成电路(IC)演进的工艺期间，功能密度(即，每一芯片面积上内连接装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可形成的最小部件(或线路))却为缩小。此微缩也增加了集成电路结构(例如，三维晶体管)及工艺的复杂性，为了实现这些进步，需在集成电路工艺及制造进行相似的发展。举例来说，当装置尺寸不断缩小时，场效晶体管的装置效能(例如，与各种缺陷相关的装置效能退化)与制造成本变得更具挑战性。尽管总体上足以应对这种挑战的方法，然而其在所有方面并非完全令人满意。
[0003]鳍部场效晶体管(FinFET)装置正成为集成电路中的常用装置。鳍部场效晶体管(FinFET)具有三维结构，包括自基底中突出的鳍部。栅极结构用以控制电荷载子于鳍部场效晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一复合基底，其包括一基底、位于该基底上的一第一半导体层、位于该第一半导体层上的一第二半导体层、位于该第二半导体层上的一第三半导体层以及位于该第三半导体层上的一第四半导体层；自该第四半导体层形成一鳍部结构；形成一虚置栅极堆叠于该鳍部结构的一通道区上；凹陷该鳍部结构的一源极区及一漏极区，以形成一源极开口及一漏极开...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，陈振平，高魁佑，李筱雯，林志翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：