一种形成存储结构的方法包括以下步骤。在半导体衬底之上形成互补金属氧化物半导体电路系统。形成位线阵列以电连接到互补金属氧化物半导体电路系统。在位线阵列之上形成存储阵列。存储阵列通过形成字线堆叠以及形成第一组堆叠存储单元及第二组堆叠存储单元...

一种制造半导体器件的方法可包括：提供超高电压(UHV)组件，所述超高电压组件包括源极区及漏极区；以及在UHV组件的顶表面上形成氧化物层。所述方法可包括：将低电压端子连接到UHV组件的源极区；以及将高电压端子连接到UHV组件的漏极区。所述...

一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、第一环结构及第二环结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。第一环结构贴合到线路衬底且环绕半导体封装，其中第一环结构包括中心开口及从中心开口的角落延伸出的多个角落开口，半导体封装位于中心开...

一种集成芯片(IC)，包括：导电结构，沿着半导体衬底的第一侧设置在介电结构内；绝缘结构，沿着所述半导体衬底的内侧壁设置，所述半导体衬底的所述内侧壁延伸穿过所述半导体衬底；阻挡层，沿着所述绝缘结构的内侧壁设置；以及衬底穿孔(TSV)，包括...

本公开涉及栅极结构及其形成方法。一种器件包括：第一栅极区域，具有第一栅极长度；第一间隔件，位于第一栅极区域的侧壁上；半导体层，位于第一栅极区域之上；第二栅极区域，位于半导体层之上，其中，第二栅极区域的第二栅极长度等于第一栅极长度；以及第...

提供一种存储单元、包括存储单元的半导体器件及其制造方法。存储单元包括一对金属层、绝缘层、存储层、选择器层及字线。一对金属层在第一方向上延伸。一对金属层中的第一金属层被设置成与一对金属层中的第二金属层接触。第一金属层包含第一材料。第二金属...

一种半导体器件，其包括第一场效应晶体管(FET)，第一场效应晶体管(FET)包括第一栅极介电层和栅电极。所述第一栅电极包括第一下金属层和第一上金属层。所述第一下金属层包括与所述第一栅极介电层接触的第一底金属层以及包括第一块状金属层。所述...

本发明的实施例提供了一种互连结构包括非绝缘体结构、衬垫层、介电结构、导电结构和防粘层。衬垫层位于非绝缘体结构上并且具有位于其中的开口。介电结构位于衬垫层上。介电结构包括位于其中的通孔开口。通孔开口具有侧壁。导电结构位于介电结构的通孔开口...

本发明实施例涉及优化布局单元。本发明实施例揭露一种用于集成电路IC布局设计中的单元放置的实例方法。所述方法包含：定义用于电路实施方案的布局单位及将多个布局单位布置成布局单元。所述方法还包含：编辑所述布局单元以连接所述布局单位的第一组以表...

本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材...

本发明涉及半导体结构、有机中介层及其形成方法。该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所...

提供一种半导体装置封装以及形成半导体装置封装的方法。半导体装置封装包括基板、第一封装部件、第二封装部件、以及至少一个虚设晶粒。第一封装部件以及第二封装部件设置于基板之上，且结合至基板。第一封装部件以及第二封装部件为提供不同功能的不同类型...

一种半导体装置的制造方法，包括在包含半导体鳍片结构的上方表面与侧边表面上方形成第一介电层。在设置于鳍片结构的上方表面上方的第一介电层的第一部分上形成遮罩层。遮罩层与第一介电层具有不同的材料组成。蚀刻设置于鳍片结构的侧边表面上的第一介电层...

本公开实施例提出一种集成芯片。集成芯片包括基板上的电性互连结构、热互连结构及热钝化层。电性互连结构包括嵌入于多个互连介电层的多个互连导孔及多个互连线。热互连结构设置在电性互连结构旁且包括多个热导孔、多个热线及/或多个热层。此外，热互连结...

本发明提出一种半导体结构。制作隔离结构于堆叠的晶体管结构的源极/漏极外延结构之间的隔离结构的方法。方法包括沉积无氧介电材料于第一外延结构上的开口中，其中无氧介电材料覆盖第一外延结构的上表面与开口的侧壁表面。方法亦包括暴露无氧介电材料至氧...

本发明实施例提出一种半导体装置如金属氧化物半导体场效晶体管。半导体装置包括基板与井位于基板上，且井包括一第一导电型态的掺质。井包括抗击穿层于井的上侧部分，抗击穿层包括第一导电型态的掺质且还包括碳。金属氧化物半导体场效晶体管还包括源极结构...

本发明提供一种半导体装置。本发明的半导体装置包括第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于基板上；多个通道组件，延伸于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间；多个内侧间隔物结构，与通道组件交错；栅极结构，包覆每一通道组件；半导体衬垫...

本公开是关于一种集成芯片及其形成方法，该集成芯片包括第一互连件及第二互连件，设置于基板上的第一层间介电(inter

本发明一些实施例关于集成芯片，其包括通道结构，延伸于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。此外，栅极直接配置于通道结构上，且上侧内连线接点配置于栅极上并耦接至栅极。背侧接点配置于第一源极/漏极区之下并耦接至第一源极/漏极区。背侧接点的...

在一些实施例中，集成芯片包括第一互连介电层，设置在基板上。第一互连导电结构，延伸穿过第一互连介电层。第一盖层，设置在第一互连导电结构上，以及第二盖层，设置在第一盖层上。第一盖层包括第一二维材料，其不同于第二盖层的第二二维材料。蚀刻停止层...