本公开的各种实施例针对具有用于降低暗电流的钝化层的图像传感器。器件层覆盖衬底。此外，盖层覆盖器件层。盖层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比盖层和衬底小的带隙。例如，盖层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电检测器位于...

本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在源极/漏极区域之上与栅极结构相邻地形成源极/漏极接触件。氧化电介质帽盖的顶部。在氧化电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在蚀刻停止层之上...

本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在形成电介质帽盖之后，在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。掺杂电介质帽盖的顶部以在电介质帽盖中形成掺杂区域。在掺杂电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上...

本文涉及用于减少套刻误差的系统和方法。提供了半导体处理装置和方法，其中翻转半导体晶圆并且然后分别在通过第一掩模板和第二掩模板在对半导体晶圆的正面和背面进行图案化之间来旋转半导体晶圆。在一些实施例中，方法包括当半导体晶圆的第一侧朝向第一方...

本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。包含多...

本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉...

本申请涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括：在衬底之上形成栅极结构。在栅极结构之上形成电介质帽盖。在衬底之上的源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。在电介质帽盖之上选择性地形成蚀刻停止层，使得该蚀刻停止层暴露源极/漏极接触件。在...

本申请涉及通孔开口的蚀刻轮廓控制。一种方法，包括：在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；在源极/漏极接触件之上形成蚀刻停止层，并且在蚀刻停止层之上形成层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过ILD层的通孔开口以及蚀刻...

本公开涉及一种用于形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成具有在第一方向上延伸的第一线特征和第二线特征的图案。在衬底上沉积光致抗蚀剂层以覆盖图案之后，对光致抗蚀剂层进行图案化以形成包括第一切割特征和第二切割特征的切割图案，该第一切割特征...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层的栅极接触件开口，使...

本公开涉及半导体图案化及所得的结构。一种方法包括在目标层之上沉积硬掩模。沉积硬掩模包括沉积具有第一密度的第一硬掩模层，以及在第一硬掩模层之上沉积第二硬掩模层，第二硬掩模层具有大于第一密度的第二密度。该方法进一步包括：在硬掩模之上形成多个...

本公开涉及具有栅极间隔件结构的场效应晶体管器件。提供了一种半导体器件及形成这种半导体器件的方法。根据本公开的方法包括：在衬底之上形成半导体元件，该半导体元件包括沟道区域和源极/漏极区域；在半导体元件的沟道区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设...

本公开涉及具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法。本文公开了实现减小的电容和/或电阻的中段制程(MOL)互连以及用于形成该MOL互连的相应技术。示例性MOL互连结构包括布置在第一绝缘体层中的器件级接触件和布置在第一绝缘体层之上的第二绝缘...

可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统(MEMS)结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工...

图像分析装置可对图像进行对准，以确定图像内的晶片的位置。晶片可包括多个晶片凸块。图像分析装置可基于晶片的位置对图像进行掩蔽，以获得晶片的一部分的图像。图像分析装置可将晶片的所述一部分的图像二值化，以生成晶片的所述一部分的二值化图像。图像...

定向耦合器被配置为接收连续的光波形并将该波形分成两个载波信号。环形调制器被配置为接收载波信号和二进制数据，并基于二进制数据来调制载波信号。组合器被配置为将调制后的载波信号组合成四电平脉冲振幅调制(PAM4)信号。本发明的实施例还涉及用于...

本发明涉及一种深沟槽结构，可形成于电容性器件的多个电极之间。深沟槽结构可形成为具有相对于使用金属刻蚀终止层来形成的沟槽结构来说得以增加深沟槽结构的体积的深度、宽度和/或纵横比。因此，深沟槽结构能够填充有更大量的介电材料，这增加电容性器件...

提供一种光掩模组装件及其形成方法，所述方法包括：可在光掩模组装件的衬底的背侧上形成一个或多个盖层之前去除衬底的背侧上的缓冲层的一部分。可直接在衬底的从衬底去除缓冲层的背侧上形成一个或多个盖层，且可直接在一个或多个盖层上形成硬掩模层。一个...

本发明描述了形成具有优化尺寸的外延结构的半导体器件的方法。方法包括：在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成间隔件层；形成与第一鳍结构相邻的第一间隔件结构；以及形成与第一间隔件结构相邻的第一外延结构。第一鳍结构...

本揭露提供一种设计规则检查的系统、方法与其非暂态计算机可读媒介，用于修复设计规则检查(design rule check；DRC)违规的系统与方法包含接收具有设计规则检查违规的布局图案，基于此布局图案与多个先前所分析的布局图案的比较来决...