电容性器件和其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种深沟槽结构，可形成于电容性器件的多个电极之间。深沟槽结构可形成为具有相对于使用金属刻蚀终止层来形成的沟槽结构来说得以增加深沟槽结构的体积的深度、宽度和/或纵横比。因此，深沟槽结构能够填充有更大量的介电材料，这增加电容性器件的电容值。此外，可通过省略金属刻蚀终止层来减小电容性器件的寄生电容。因此，深沟槽结构(和金属刻蚀终止层的省略)可增加电容性器件的灵敏度，可增加电容性器件的湿度传感性能，和/或可增加在其中包含电容性器件的器件和/或集成电路的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
电容性器件和其制造方法


[0001]本揭露实施例涉及一种电容性器件和其制造方法。

技术介绍

[0002]集成电路可在半导体晶片上制造。半导体晶片可堆叠或接合在彼此的顶部上以形成所谓的三维集成电路。一些半导体晶片包含微机电系统(micro
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electromechanical
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system；MEMS)器件，其涉及形成具有微米级(百万分之一米)尺寸的微型结构的工艺。通常，MEMS器件构建于硅晶片上且在材料的薄膜中实现。MEMS应用的实例包含运动传感器、加速计、陀螺仪以及湿度传感器。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，一种电容性器件包括第一电极、第二电极、深沟槽结构及介电层。深沟槽结构位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述深沟槽结构的底部在层间介电层的表面下方的过刻蚀区中。所述层间介电层在所述第一电极和所述第二电极下方。介电层位于所述深沟槽结构中。
[0004]根据本专利技术的实施例，一种电容性器件包括正电荷电极结构、负电荷电极结构、多个深沟槽结构及湿度传感层。正电荷电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容性器件，包括：第一电极；第二电极；深沟槽结构，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述深沟槽结构的底部在层间介电层的表面下方的过刻蚀区中，且其中所述层间介电层在所述第一电极和所述第二电极下方；以及介电层，位于所述深沟槽结构中。2.根据权利要求1所述的电容性器件，其中所述过刻蚀区相对于所述层间介电层的所述表面的深度在大约1,000埃到大约9,000埃范围内。3.根据权利要求1所述的电容性器件，其中所述深沟槽结构的深度在大约42,000埃到大约50,000埃范围内。4.根据权利要求1所述的电容性器件，其中所述深沟槽结构的宽度大于大约15,000埃。5.根据权利要求1所述的电容性器件，其中所述深沟槽结构的宽度与所述深沟槽结构的高度之间的纵横比在大约0.26到大约0.38范围内。6.根据权利要求1所述的电容性器件，其中所述深沟槽结构的侧壁角在大约7度到大约8度范围内。7.一种电容性器件，包括：正电荷电极结构，包括连接到第一电极垫的多个正极；负电荷电极结构，包括连接到第二电极垫的多个负极；多个深沟槽结构，其中所述多个深沟槽结构中的深沟槽结构位于一对所述多个正极中的正极与所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：林恩硕，柯升，林基富，林哲毅，李承宗，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：