热点预测方法、装置及记录介质制造方法及图纸

本公开提供一种热点预测方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：取得布局图形，并从布局图形中撷取多个局部图形；定义对布局图形进行光刻所使用光源的光源图；以及利用图形分类算法分析各个局部图形与光源图的相关性，并根据此相关性预测局部图形中的热点。根据此相关性预测局部图形中的热点。根据此相关性预测局部图形中的热点。

【技术实现步骤摘要】
热点预测方法、装置及记录介质


[0001]本公开的实施例是有关于一种热点预测方法、装置及记录介质。

技术介绍

[0002]光刻(photolithography)是半导体产业的主要制程之一，其是利用光学成像的原理，为电路布局图形(pattern)设计掩模及光源，以将图形投影至晶圆上，制作出所需的电路。而随着集成电路中的组件数目不断增加，电路布局图形中组件的尺寸及彼此间距不断微缩，此将使得光刻制程的难度增加，这是因为光通过掩模后所产生的衍射(diffraction)光会累加在曝光图形上，使得所制作出的电路布局与原始布局图形有所差异。
[0003]光学近接修正(optical proximity correction，OPC)是用于补偿上述差异所发展的一种分辨率增强技术(Resolution Enhancement Techniques，RETs)，其藉由对掩模的布局图形进行修正，使得曝光图形在经由衍射光累加后仍可符合当初设计的图形。尽管使用了增强技术，布局图形的某些局部区域在成像后仍可能存在缺陷，此类区域即为所谓的热点(hotspot)，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热点预测方法，适用于具有处理器的电子装置，其中所述方法包括下列步骤：取得布局图形，并从所述布局图形中撷取多个局部图形；定义对所述布局图形进行光刻所使用的光源的光源图；以及利用图形分类算法分析各所述局部图形与所述光源图的相关性，并根据所述相关性预测所述局部图形中的热点。2.如权利要求1所述的方法，其中利用图形分类算法分析各所述局部图形与所述光源图的相关性，并根据所述相关性预测所述局部图形中的热点的步骤包括：分别对各所述局部图形与所述光源图进行区块式快速傅里叶变换，并计算变换后各所述局部图形与变换后所述光源图之间的相关性；以及将所计算的所述相关性与预设阈值比较，以预测所述局部图形中的所述热点。3.如权利要求2所述的方法，其中所述相关性包括差值总和、内积、相关系数、变异系数、协方差或其组合。4.如权利要求1所述的方法，其中利用图形分类算法分析各所述局部图形与所述光源图的相关性，并根据所述相关性预测所述局部图形中的热点的步骤包括：利用经训练的学习模型辨识各所述局部图形与所述光源图的多个特征，以预测所述局部图形中的所述热点，其中所述学习模型是利用机器学习算法建立，并学习由不同的多个布局图形中撷取出的所述多个局部图形及定义出的所述光源图与对应的热点检测结果之间的关系。5.如权利要求1所述的方法，其中从所述布局图形中撷取多个局部图形的步骤包括：撷取从所述布局图形中等分出的多个局部图形，或是撷取所述布局图形中具有预定特征的组件周围的多个局部图形。6.如权利要求5所述的方法，其中所述预定特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖景鸿，黄志仲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：