【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于同时获取物体的多个不同图像的检测设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年5月13日提交的EP申请19174102.4和于2019年5月23日提交的EP申请19176202.0和于2019年6月12日提交的EP申请19179763.8和于2019年9月3日提交的EP申请19195127.6的优先权,这些都通过引用全部并入本文。
[0003]本专利技术涉及一种用于确定衬底上的结构特性的量测设备或检查设备。本专利技术还涉及一种用于确定衬底上的结构特性的方法。
技术介绍
[0004]光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影在衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了能够被形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种检测设备,用于在多个不同聚焦水平同时获取物体的多个图像;包括:调制器,用于获得入射束的多个束副本;以及检测器,能够操作以捕获所述多个束副本,其中所述调制器被配置为使得所述多个束副本中的至少两个在不同的聚焦水平被捕获。2.根据权利要求1所述的检测设备,还包括:光学元件,能够操作以对所述多个束副本中的至少两个施加不同的相位延迟。3.根据权利要求2所述的检测设备,其中所述光学元件能够操作以对所述多个束副本中的每个束副本施加不同的相位延迟。4.根据权利要求2或3所述的检测设备,其中所述光学元件包括相位板。5.根据权利要求2、3或4所述的检测设备,其中所述光学元件包括具有不同厚度和/或折射率的至少两个区域,以对所述多个束副本中的至少两个施加所述不同的相位延迟。6.根据权利要求5所述的检测设备,其中所述至少两个区域包括与所述多个束副本中的每个束副本相对应的不同区域,所述不同区域每个具有不同厚度和/或折射率,以对所述多个束副本中的每个束副本施加所述不同的相位延迟。7.根据权利要求5或6所述的检测设备,其中所述至少两个区域中的至少一些包括至少两个子区域,区域的每个子区域具有不同厚度和/或折射率,区域的每个子区域对应于对应束副本的不同波长范围。8.根据权利要求7所述的检测设备,其中,针对至少互补的束副本对,区域的两个子区域之间的所述边界相对于所述光轴位于不同的有效位置,并且其中,可选地,所述调制器是二维调制器,并且所述光学元件是二维光学元件。...
【专利技术属性】
技术研发人员:T,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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