【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构、半导体结构及其形成方法
[0001]本专利技术实施例是关于一种半导体制造技术,特别是有关于一种使用有机中介载板的芯片封装结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]扇出晶圆级封装(fan
‑
out wafer level package,FOWLP)可在半导体晶粒和封装基板之间使用中介载板(interposer)。可接受的中介载板具有足够的机械强度,以承受用于连接半导体晶粒和封装基板的接合(bonding)制程。
技术实现思路
[0003]本公开一些实施例提供一种芯片封装结构,包括有机中介载板(organic interposer)以及附接到有机中介载板的至少一半导体晶粒。有机中介载板包括聚合物基质层、封装侧凸块结构、晶粒侧凸块结构、至少一金属屏蔽结构、以及屏蔽支撑通孔(via)结构。聚合物基质层内埋重分布互连结构。封装侧凸块结构位于聚合物基质层的第一侧,并连接到重分布互连结构中的近端子集(proximal subset)。晶粒侧凸块结构位于聚合物基质层的第二侧,并通过相应的凸块 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,包括一有机中介载板以及附接到该有机中介载板的至少一半导体晶粒,其中该有机中介载板包括:多个聚合物基质层,内埋多个重分布互连结构;多个封装侧凸块结构,位于所述聚合物基质层的一第一侧,并连接到所述重分布互连结构中的一近端子集;多个晶粒侧凸块结构,位于所述聚合物基质层的一第二侧,并通过相应的多个凸块连接通孔结构连接到所述重分布互连结构中的一远端子集;至少一金属屏蔽结构,与所述晶粒侧凸块结构位于相同的水平高度,并横向地围绕所述晶粒侧凸块结构中的一相应者;以及多个屏蔽支撑通孔结构,与所述凸块连接通孔结构位于相同的水平高度,并横向地围绕所述凸块连接通孔结构中的一相应者。2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中所述晶粒侧凸块结构具有与该至少一金属屏蔽结构相同的厚度和相同的材料组成。3.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该有机中介载板包括至少一金属基板,该至少一金属基板与所述屏蔽支撑通孔结构中的至少一者的一底表面接触。4.如权利要求3所述的芯片封装结构,其中所述重分布互连结构包括多个金属焊垫结构,所述金属焊垫结构与所述凸块连接通孔结构中的一相应者的一底表面接触,并与该至少一金属基板位于相同的水平高度且被该至少一金属基板横向地围绕。5.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中所述晶粒侧凸块结构与所述凸块连接通孔结构中的每一组合包括个别的一第一整体结构,其中一第一导电材料部分连续地延伸跨越相应的一晶粒侧凸块结构和相应的一凸块连接通孔结构。6.如权利要求5所述的芯片封装结构,其中该至少一金属屏蔽结构与所述屏蔽支撑通孔结构中的每一组合包括个别的一第二整体结构,其中一第二导电材料部分连续地延伸跨越相应的一金属屏蔽结构和相应的多个屏蔽支撑通孔结构。7.如权利要求6所述的芯片封装结构,其中所述晶粒侧凸块结构与该至少一金属屏蔽结构具有相同的厚度和具有相同的材料组成。8.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:李宗彦,汪金华,游明志,许佳桂,赖柏辰,林柏尧,郑心圃,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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