电容式隔离芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种电容式隔离芯片及其制作方法，所涉及的电容式隔离芯片包括衬底、位于衬底上侧且相对设置的下极板与上极板、以及至少两层位于上极板与下极板之间的层间介质层；相邻两层间介质层之间还设置有金属布线层，且相邻两层间介质层中的上层层间介质层内形成有若干与其下侧相应金属布线层连接且填充有金属物的第一接触孔；金属布线层包括金属主体膜及设置于金属主体膜上表面的第一金属阻挡膜，电容式隔离芯片还具有设置于第一金属阻挡膜上表面的介质缓冲层；基于电容式隔离芯片的设置结构，在采用等离子体刻蚀金属布线层上侧相应层间介质层形成第一接触孔时，即使第一金属阻挡膜具有较相对较薄的厚度时也能保证第一接触孔的刻蚀均一性。证第一接触孔的刻蚀均一性。证第一接触孔的刻蚀均一性。

【技术实现步骤摘要】
电容式隔离芯片


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电容式隔离芯片。

技术介绍

[0002]参考图1所示，其为现有技术电容式隔离芯片一种常规结构示意图，所涉及电容式隔离芯片包括衬底100＇、位于衬底100＇上侧且相对设置的下极板200＇与上极板300＇、以及位于上极板300＇与下极板200＇之间的第一层间介质层41＇与第二层间介质层42＇，第一层间介质层41＇与第二层间介质层42＇之间设置有金属布线层500＇。现有技术中所涉及的金属布线层500＇通常具有如图2中所示的三层夹心结构，具体包括金属主体膜50＇、分别设置于金属主体膜50＇上、下表面的第一金属阻挡膜51＇与第二金属阻挡膜52＇。
[0003]在具体实施过程中，为实现金属布线层500＇与其上侧的电路结构形成连通，第二层间介质层42＇必须设置有若干内部填充有金属物40a＇的接触孔40＇。在采用等离子体刻蚀形成接触孔40＇时，各接触孔40＇在第二层间介质层42＇内的刻蚀进度必然存在一定的差异，而由于第二层间介质层42＇厚度通常比金属布线层500＇厚度要大很多，一些接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容式隔离芯片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上侧且相对设置的下极板与上极板、以及至少两层位于所述上极板与所述下极板之间的层间介质层；相邻两所述层间介质层之间还设置有金属布线层，且相邻两所述层间介质层中的上层层间介质层内形成有若干与其下侧相应所述金属布线层连接且填充有金属物的第一接触孔；所述金属布线层包括金属主体膜及设置于所述金属主体膜上表面的第一金属阻挡膜，所述电容式隔离芯片还具有设置于所述第一金属阻挡膜上表面的介质缓冲层。2.根据权利要求1所述的电容式隔离芯片，其特征在于，所述金属布线层还包括设置于所述金属主体膜下表面的第二金属阻挡膜，所述第二金属阻挡膜与所述第一金属阻挡膜的厚度一致。3.根据权利要求2所述的电容式隔离芯片，其特征在于，所述金属主体膜的厚度为所述第一金属阻挡膜与所述第二金属阻挡膜的厚度为4.根据权利要求1-3任意一项所述的电容式隔离芯片，其特征在于，所述层间介质层为氧化硅膜，所述介质缓冲层为氮化硅膜、氮氧化硅膜或由两者层叠构成的复合膜。5.根据权利要求4所述的电容式隔离芯片，其特征在于，所述介质缓冲层的厚度为0.2-1.2μm。6.根据权利要求1-3任意一项所述的电容式隔离芯片，其特征在于，所述电容式隔离芯片还包括设置于所述上极板下表面和/或所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海君，盛云，
申请(专利权)人：苏州纳芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：