【技术实现步骤摘要】
封装衬底、电子设备封装和其制造方法
[0001]本公开涉及一种封装衬底和其制造方法,并且更具体地涉及一种具有嵌入式电子组件的封装衬底和其制造方法。
技术介绍
[0002]由于多功能和高性能已经成为如智能电话等消费电子产品和通信产品的典型要求,因此期望电子设备封装具有优异的电气特性、低功耗和大量I/O端口。为了实现多功能和高性能,电子设备封装配备有更多的有源组件和无源组件。然而,有源组件和无源组件增加了电子设备封装的整体厚度。因此,期望开发一种具有厚度很薄、多功能、高性能和低功耗的封装衬底,以满足消费电子产品和通信产品的紧密性要求。
技术实现思路
[0003]本公开的一方面涉及一种封装衬底。在一些实施例中,封装衬底包含衬底、电子组件(electronic component)和第一导电迹线(first conductive trace)。所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述电子组件安置在所述衬底中,并且所述电子组件包含磁性层(magnetic layer)和导电线(conductive wi ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装衬底,其包括:衬底,所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;电子组件,所述电子组件安置在所述衬底中,所述电子组件包括:磁性层,所述磁性层包含邻近于所述第一表面的上表面和邻近于所述第二表面的下表面;以及导电线,所述导电线包括第一区段和第二区段,所述第一区段嵌入在所述磁性层中,所述第二区段连接到所述第一区段并且比所述第一区段薄,其中所述第一区段的第一上表面由所述磁性层覆盖,所述第二区段的第二上表面低于所述第一上表面,并且所述磁性层包含第一凹部,所述第一凹部安置在所述上表面中并且暴露所述第二区段的所述第二上表面;以及第一导电迹线,所述第一导电迹线位于所述第一凹部中并且电连接到所述导电线的所述第二区段的所述第二上表面。2.根据权利要求1所述的封装衬底,其进一步包括介电层,所述介电层安置在所述磁性层与所述第一导电迹线之间。3.根据权利要求2所述的封装衬底,其中所述介电层安置在所述磁性层的所述第一凹部中并且部分地围绕所述第一导电迹线。4.根据权利要求2所述的封装衬底,其中所述衬底包括限定空腔的支撑部分,所述电子组件安置在所述空腔中,并且所述介电层进一步安置在所述电子组件的边缘与所述衬底的所述支撑部分之间。5.根据权利要求1所述的封装衬底,其进一步包括导电结构,所述导电结构从所述衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面。6.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述电子组件包括多条导电线。7.根据权利要求6所述的封装衬底,其中所述磁性层的所述第一凹部包括槽,所述槽连续地横贯所述多条导电线并且暴露所述多条导电线的所述第二区段的所述第二上表面。8.根据权利要求6所述的封装衬底,其中所述磁性层的所述第一凹部包括多个孔,所述多个孔彼此分离并且分别暴露所述多条导电线的所述第二区段的所述第二上表面。9.根据权利要求6所述的封装衬底,其中所述介电层进一步包含凸出部分,所述凸出部分在所述多条导电线中的两条邻近导电线之间部分地插入到所述磁性层中。10.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述第一凹部的最小宽度比所述导电线的宽度宽。11.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述第一区段的所述第一上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员:许武州,李志成,陈敏尧,田兴国,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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