封装衬底、电子设备封装和其制造方法技术

本公开提供了一种封装衬底和其制造方法。所述封装衬底包含衬底、电子组件和导电迹线。所述电子组件安置在所述衬底中，并且所述电子组件包含磁性层和导电线。所述导电线包含第一区段和第二区段，所述第一区段嵌入在所述磁性层中，所述第二区段连接到所述第一区段并且比所述第一区段薄。所述第一区段的第一上表面由所述磁性层覆盖，所述第二区段的第二上表面低于所述第一上表面，并且所述磁性层包含第一凹部，所述第一凹部安置在所述上表面中并且暴露所述第二区段的所述第二上表面。所述第一导电迹线位于所述第一凹部中并且电连接到所述导电线的所述第二区段的所述第二上表面。电线的所述第二区段的所述第二上表面。电线的所述第二区段的所述第二上表面。

【技术实现步骤摘要】
封装衬底、电子设备封装和其制造方法


[0001]本公开涉及一种封装衬底和其制造方法，并且更具体地涉及一种具有嵌入式电子组件的封装衬底和其制造方法。

技术介绍

[0002]由于多功能和高性能已经成为如智能电话等消费电子产品和通信产品的典型要求，因此期望电子设备封装具有优异的电气特性、低功耗和大量I/O端口。为了实现多功能和高性能，电子设备封装配备有更多的有源组件和无源组件。然而，有源组件和无源组件增加了电子设备封装的整体厚度。因此，期望开发一种具有厚度很薄、多功能、高性能和低功耗的封装衬底，以满足消费电子产品和通信产品的紧密性要求。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面涉及一种封装衬底。在一些实施例中，封装衬底包含衬底、电子组件(electronic component)和第一导电迹线(first conductive trace)。所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述电子组件安置在所述衬底中，并且所述电子组件包含磁性层(magnetic layer)和导电线(conductive wire)。所述磁性层包含邻近于所述第一表面的上表面和邻近于所述第二表面的下表面。所述导电线包含第一区段和第二区段，所述第一区段嵌入在所述磁性层中，所述第二区段连接到所述第一区段并且比所述第一区段薄。所述第一区段的第一上表面由所述磁性层覆盖，所述第二区段的第二上表面低于所述第一上表面，并且所述磁性层包含第一凹部，所述第一凹部安置在所述上表面中并且暴露所述第二区段的所述第二上表面。所述第一导电迹线位于所述第一凹部中并且电连接到所述导电线的所述第二区段的所述第二上表面。
[0004]本公开的另一方面涉及一种制造封装衬底的方法。在一些实施例中，所述方法包含以下操作。提供电子组件。所述电子组件包含磁性层和至少部分地由所述磁性层覆盖的导电线。使所述磁性层和所述导电线凹入以形成部分地暴露所述导电线的一部分的凹部。在衬底的空腔中安置有所述电子组件。在所述空腔中和所述凹部中形成有介电层。在所述凹部中的所述介电层中形成穿孔以暴露所述导电线的所述部分。在所述导电线的通过所述介电层的所述穿孔暴露的所述部分上形成有第一导电迹线。
[0005]本公开的另一方面涉及一种制造半导体设备封装的方法。在一些实施例中，所述方法包含以下操作。提供上述封装衬底。在所述衬底的第一表面上形成第一重新分布层(RDL)。在所述第一RDL上安置第一半导体管芯。包封所述第一半导体管芯。在第二表面上形成有多个电连接器(electrical connectors)。
附图说明
[0006]当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的实施例的各方面。各种结构可能未按比例绘制，并且为了讨论的清楚起见，可以任意增加或
减小各种结构的尺寸。
[0007]图1是根据本公开的一些实施例的封装衬底的示意性俯视图。
[0008]图1A是沿图1的线1A
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1A'截取的封装衬底的横截面视图。
[0009]图1B是沿图1的线1B
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1B'截取的封装衬底的横截面视图。
[0010]图1C是沿图1的线1C
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1C'截取的封装衬底的横截面视图。
[0011]图2A、图2A1、图2A2、图2B、图2B1、图2B2、图2C、图2D和图2E展示了根据本公开的一些实施例的制造封装衬底的操作。
[0012]图3是根据本公开的一些实施例的电子组件的示意性透视图。
[0013]图3A是根据本公开的一些实施例的电子组件的示意性横截面视图。
[0014]图4是根据本公开的一些实施例的电子组件的示意性俯视图。
[0015]图4A是根据本公开的一些实施例的封装衬底的示意性横截面视图。
[0016]图4B是根据本公开的一些实施例的封装衬底的示意性横截面视图。
[0017]图5A和图5B是根据本公开的一些实施例的沿不同线截取的封装衬底的示意性横截面视图。
[0018]图6是根据本公开的一些实施例的封装衬底的示意性横截面视图。
[0019]图7展示了根据本公开的一些实施例的制造电子设备封装的操作。
具体实施方式
[0020]以下公开提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了组件和布置的具体实例以解释本公开的某些方面。当然，这些仅仅是实例并且不旨在是限制性的。例如，在以下描述中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包含将第一特征和第二特征形成或安置成直接接触的实施例，并且还可以包含在第一特征与第二特征之间形成和安置另外的特征使得第一特征和第二特征不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个实例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清晰的目的并且本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0021]本文中可以为了便于描述而使用本文所用的如“下面”、“下方”、“上方”、“之上”、“上”“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”、“竖直”、“水平”、“侧面”等空间相对术语来描述如附图所示的一个元件或特征与另一或多个元件或特征的关系。除了在附图中描绘的朝向之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用时或运行时的不同朝向。可以以其它方式定向设备(旋转90度或处于其它定向)，并且同样可以以相应的方式解释本文中使用的空间相对描述语。应理解，当元件被称为“连接到”或“耦接到”另一个元件时，所述元件可以直接连接到或耦接到另一个元件，或者可以存在中间元件。
[0022]图1是根据本公开的一些实施例的封装衬底1的示意性俯视图，图1A是沿图1的线1A
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1A'截取的封装衬底1的横截面视图，图1B是沿图1的线1B
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1B'截取的封装衬底1的横截面视图，并且图1C是沿图1的线1C
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1C'截取的封装衬底1的横截面视图。为了突出封装衬底1的特征，如介电层和导电迹线等一些组件在图1中未绘制。如图1、图1A、图1B和图1C所示，封装衬底1包含衬底10、电子组件20和导电迹线(例如，第一导电迹线)30。衬底10包含第一表面101和与第一表面101相对的第二表面102。衬底10可以包含其中具有电路系统的封装衬底。例如，衬底10可以包含芯衬底、无芯衬底或其它类型的衬底。衬底10可以包含限定用于
容纳电子组件20的一或多个空腔10C的支撑部分10S。在一些实施例中，空腔10C可以但不限于穿透衬底10。在一些实施例中，支撑部分10S的材料相对牢固。举例来说，支撑部分10S的材料可以包含聚丙烯(PP)或其它合适的介电或绝缘材料。衬底10可以包含如导电通孔等多个导电结构10T，所述多个导电结构从衬底10的第一表面101延伸到第二表面102以电连接安置在第一表面101和第二表面102上的电子组件和/或半导体管芯。例如，导电结构10T可以包含铜或其它合适的导电材料。在一些实施例中，导电结构10T的横截面形状可以包含但不限于X形状或沙漏形状。在一些其它本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装衬底，其包括：衬底，所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；电子组件，所述电子组件安置在所述衬底中，所述电子组件包括：磁性层，所述磁性层包含邻近于所述第一表面的上表面和邻近于所述第二表面的下表面；以及导电线，所述导电线包括第一区段和第二区段，所述第一区段嵌入在所述磁性层中，所述第二区段连接到所述第一区段并且比所述第一区段薄，其中所述第一区段的第一上表面由所述磁性层覆盖，所述第二区段的第二上表面低于所述第一上表面，并且所述磁性层包含第一凹部，所述第一凹部安置在所述上表面中并且暴露所述第二区段的所述第二上表面；以及第一导电迹线，所述第一导电迹线位于所述第一凹部中并且电连接到所述导电线的所述第二区段的所述第二上表面。2.根据权利要求1所述的封装衬底，其进一步包括介电层，所述介电层安置在所述磁性层与所述第一导电迹线之间。3.根据权利要求2所述的封装衬底，其中所述介电层安置在所述磁性层的所述第一凹部中并且部分地围绕所述第一导电迹线。4.根据权利要求2所述的封装衬底，其中所述衬底包括限定空腔的支撑部分，所述电子组件安置在所述空腔中，并且所述介电层进一步安置在所述电子组件的边缘与所述衬底的所述支撑部分之间。5.根据权利要求1所述的封装衬底，其进一步包括导电结构，所述导电结构从所述衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面。6.根据权利要求1所述的封装衬底，其中所述电子组件包括多条导电线。7.根据权利要求6所述的封装衬底，其中所述磁性层的所述第一凹部包括槽，所述槽连续地横贯所述多条导电线并且暴露所述多条导电线的所述第二区段的所述第二上表面。8.根据权利要求6所述的封装衬底，其中所述磁性层的所述第一凹部包括多个孔，所述多个孔彼此分离并且分别暴露所述多条导电线的所述第二区段的所述第二上表面。9.根据权利要求6所述的封装衬底，其中所述介电层进一步包含凸出部分，所述凸出部分在所述多条导电线中的两条邻近导电线之间部分地插入到所述磁性层中。10.根据权利要求1所述的封装衬底，其中所述第一凹部的最小宽度比所述导电线的宽度宽。11.根据权利要求1所述的封装衬底，其中所述第一区段的所述第一上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：许武州，李志成，陈敏尧，田兴国，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：