封装结构及其制作方法技术

提供一种包括第一半导体管芯、中介层及第一绝缘包封体的结构。第一半导体管芯包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的内连线结构及设置在内连线结构上的导通孔。中介层包括介电层及穿透过介电层的穿孔。第一绝缘包封体在侧向上包封第一半导体管芯及中介层，其中中介层的介电层的厚度实质上等于第一半导体管芯的厚度及第一绝缘包封体的厚度。度及第一绝缘包封体的厚度。度及第一绝缘包封体的厚度。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术的实施例是有关于一种封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续提高，半导体行业已经历迅速成长。主要来说，集成密度的此种改进是源自于最小特征大小的不断减小，这允许将更多的组件集成到给定区域中。随着近来对小型化、更高的速度及更大的带宽以及更低的功耗与等待时间的需求增长，对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需要也随之增长。目前，集成扇出型封装(integrated fan
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out package)因其多功能、紧凑性及高性能而变得越来越受青睐。然而，存在与集成扇出型技术有关的挑战(例如，翘曲问题)。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种封装结构，包括第一半导体管芯、中介层以及第一绝缘包封体。第一半导体管芯，包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的内连线结构及设置在内连线结构上的导通孔。中介层，包括介电层及穿透过介电层的穿孔。第一绝缘包封体，在侧向上包封第一半导体管芯及中介层，其中中介层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一半导体管芯，包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的内连线结构及设置在所述内连线结构上的导通孔；中介层，包括介电层及穿透过所述介电层的穿孔；以及第一绝缘包封体，在侧向上包封所述第一半导体管芯及所述中介层，其中所述中介层的所述介电层的厚度实质上等于所述第一半导体管芯的厚度及所述第一绝缘包封体的厚度。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一半导体管芯还包括设置在所述内连线结构上且在侧向上包封所述导通孔的保护层。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一半导体管芯还包括穿透过所述半导体衬底的半导体穿孔，且所述半导体穿孔电连接到所述内连线结构。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第一重布线路层，设置在所述第一绝缘包封体的第一表面、所述第一半导体管芯的有源表面及所述中介层的第一表面上，其中所述第一重布线路层电连接到所述第一半导体管芯的所述导通孔及所述中介层的所述穿孔。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括嵌置在所述第一绝缘包封体中的无源器件，其中所述无源器件的厚度实质上等于所述中介层的所述介电层的所述厚度。6.一种封装结构，其特征在于，包括：第一半导体管芯，各自包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的内连线结构及设置在所述内连线结构上的导通孔；第一介电中介层，包括介电层及穿透过所述介电层的穿孔，其中所述第一半导体管芯与所述第一介电中介层并排排列；第一绝缘包封体，在侧向上包封所述第一半导体管芯及所述第一介电中介层，其中所述穿孔通过所述介电层而与所述第一绝缘包封体间隔开，且所述第一介电中介层的所述介电层的厚度实质上等于所述第一半导体管芯的厚度及所述第一绝缘包封体的厚度；第一重布线路层，设置在所述第一绝缘包封体的第一表面、所述第一半导体管芯的有源表面及所述第一介电中介层的第一表面上；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗甫，卢思维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：