封装结构及制作方法技术

本公开关于用于形成薄形状系数半导体封装的方法及设备。在一个实施例中，通过微喷或激光烧蚀来构造玻璃或硅基板，以形成用于通过基板而形成互连的结构。而后，将基板用作框架以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装结构及制作方法


[0001]本公开的实施例大体关于半导体封装结构及其形成方法。更具体而言，本文描述的实施例关于薄形状系数半导体封装的结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]由于对微型电子器件和部件的需求不断增长，集成电路已发展成为复杂的2.5D和3D设备，在单个芯片上可以包含数百万个晶体管、电容器、和电阻器。芯片设计的进展得到更大的电路密度，从而提高了集成电路的处理能力和速度。需要更大电路密度的更快处理能力，对制造集成电路封装中所使用的材料、结构、以及处理产生相应的需求。然而，除了这些趋向于更高的整合度与更高效能的趋势外，人们一直在追求降低制造成本。
[0003]传统而言，由于在其中容易形成特征和连接，以及与有机复合物相关的相对较低的封装制造成本，集成电路封装已在有机封装基板上制造。然而，随着电路密度的增加和电子组件的进一步小型化，因用于维持设备规模和相关性能要求的材料结构分辨率的限制，有机封装基板的利用变得不切实际。近来，已经利用放置在有机封装基板上的被动硅中介层作为重分布层来制造2.5D和/或3D集成电路封装，以补偿与有机封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装组件，包括：框架，具有第一表面，所述第一表面与第二表面相对，所述框架进一步包括：框架材料，所述框架材料包含硅；至少一个空腔，其中设置有半导体晶粒；以及通孔，包括通孔表面，所述通孔表面定义开口，所述开口从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述框架；绝缘层，设置在所述第一表面与所述第二表面上方，所述绝缘层接触所述半导体晶粒的每一侧的至少一部分；以及电互连，设置在所述通孔内，其中所述绝缘层设置在所述通孔表面与所述电互连之间。2.如权利要求1所述的封装组件，其中所述框架包括太阳能基板。3.如权利要求1所述的封装组件，其中所述框架具有在约60μm和约160μm之间的厚度。4.如权利要求1所述的封装组件，其中所述至少一个空腔具有在约3mm和约50mm之间的横向尺寸。5.如权利要求1所述的封装组件，其中所述通孔具有在约20μm和约200μm之间的直径。6.如权利要求1所述的封装组件，进一步包括氧化层，所述氧化层形成在所述框架上。7.如权利要求1所述的封装组件，其中所述绝缘层包括环氧树脂。8.如权利要求7所述的封装组件，其中所述绝缘层在所述电互连与所述半导体晶粒之间具有在约5μm和约50μm之间的厚度。9.如权利要求1所述的封装组件，进一步包括设置在所述电互连与所述绝缘层之间的黏附层或籽晶层。10.如权利要求9所述的封装组件，其中所述黏附层包括钼，并且所述籽晶层包括铜。11.一种封装组件，包括：嵌入式晶粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈翰文，S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：