集成电路封装件和方法技术

提供了封装结构及其形成方法。一种方法包括在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器。使用第一电连接器，将集成电路管芯接合至插件晶圆的第一面。邻近集成电路管芯，将加强件结构连接至插件晶圆的第一面。在平面图中，加强件结构覆盖第二电连接器。用第一密封剂密封集成电路管芯和加强件结构。将插件晶圆和加强件结构单个化，以形成堆叠结构。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路封装件和方法


[0001]本申请的实施例涉及集成电路封装件和方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。大多数情况下，集成密度的提高可以从迭代减小最小特征尺寸、从而允许更多组件集成至给定区域中来获得。随着对缩小的电子器件的需求的增长，已经出现了对更小并且更具创造性的半导体管芯的封装技术的需求。这种封装系统的一个示例是封装上封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部，以提供高级别的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产具有增强的功能和小的占位面积的半导体器件。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种方法，包括：在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器；使用所述第一电连接器，将集成电路管芯接合至所述插件晶圆的所述第一面；邻近所述集成电路管芯，将加强件结构连接至所述插件晶圆的所述第一面，在平面图中，所述加强件结构覆盖所述第二电连接器；用第一密封剂密封所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器；使用所述第一电连接器，将集成电路管芯接合至所述插件晶圆的所述第一面；邻近所述集成电路管芯，将加强件结构连接至所述插件晶圆的所述第一面，在平面图中，所述加强件结构覆盖所述第二电连接器；用第一密封剂密封所述集成电路管芯和所述加强件结构；以及将所述插件晶圆和所述加强件结构单个化，以形成堆叠结构。2.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法，其中，所述加强件结构是伪结构。3.根据权利要求2所述的形成集成电路封装件的方法，其中，所述加强件结构通过粘合剂连接至所述插件晶圆的所述第一面。4.根据权利要求3所述的形成集成电路封装件的方法，其中，所述粘合剂沿着所述第二连接器的侧壁和顶面延伸。5.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法，其中，所述加强件结构包括有源电路。6.根据权利要求5所述的形成集成电路封装件的方法，其中，将所述加强件结构连接至所述插件晶圆的所述第一面包括：使用所述第二电连接器将所述加强件结构电连接至所述插件晶圆。7.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法，其中，所述加强件结构包括第一部分和与所述第一部分非连续的第二部分，所述第一部分沿着所述插件晶圆的所述第一面沿着第一方向从所述插件晶圆的第一边缘延伸至所述插件晶圆的第二边缘，所述第二部分沿着所述插件晶圆的所述第一面沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸。8.一种形成集成电路封装件的方法，包括：在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器，所述插件晶圆包括管芯区和划线区，每个所述划线区介于相邻的所述管芯区之间；使用第一组所述第一电连接器，将集成电路管芯的有源面接合至所述管芯区的第一管芯区中的所述插件晶圆的所述第一面；邻近所述集成电路管芯，将加强件结构连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗登元，庄立朴，潘信瑜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：