半导体结构的形成方法及晶片技术

本发明专利技术的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。应变消除沟槽可在衬底上的外延层生长之前形成于衬底中。沟槽可减少由于外延层材料与衬底材料之间的材料特性的差异(例如，晶格失配、热膨胀系数的差异等)而在外延生长工艺期间出现在外延层上的应力和应变。沟槽所提供的应力和应变消除可减少或除去外延层和衬底中的裂纹和/或其它类型的缺陷，可减少和/或除去衬底的弯曲和翘曲，可减少衬底的断裂等。这可提高外延层的中心到边缘的质量，可以允许外延层生长在较大的衬底上。以允许外延层生长在较大的衬底上。以允许外延层生长在较大的衬底上。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及晶片


[0001]本专利技术的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)基材料在电学、机械以及化学特性上具有若干优点，例如，宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模量、高压电和压阻系数等，以及化学惰性。这些优点使GaN基材料对制造器件(例如，高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)、高亮度发光二极管(light
‑
emitting diode,LED)以及其它类型的电子器件)具有吸引力。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底中形成一或多个沟槽；以及在所述一或多个沟槽中生长氮化镓(GaN)外延层。
[0004]本专利技术实施例提供一种晶片，包括：衬底，其中形成多个沟槽；以及多个外延区，形成于所述多个沟槽中。
[0005]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上方形成光刻胶层；曝光所述光刻胶层以在所述光刻胶层中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底中形成一或多个沟槽；以及在所述一或多个沟槽中生长氮化镓(GaN)外延层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中所述一或多个沟槽为不连续的沟槽。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中形成所述一或多个沟槽包括：基于一或多个参数形成所述一或多个沟槽，其中所述一或多个参数基于以下中的至少一个：所述衬底的直径，所述衬底的厚度，待生长的所述氮化镓外延层的厚度，或所述衬底的材料类型。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中形成所述一或多个沟槽包括：基于一或多个参数形成所述一或多个沟槽，其中所述一或多个参数包括以下中的至少一个：所述一或多个沟槽的深度，所述一或多个沟槽的宽度，所述一或多个沟槽的长度，所述一或多个沟槽之间的间隔，所述一或多个沟槽的形状，所述一或多个沟槽的数量，或所述一或多个沟槽的图案。5.一种晶片，包括：衬底，其中形成多个沟槽；以及多个外延区，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗益全，帕拉范苏莫汉塔，陈旻聪，谢江河，陈京玉，叶佳灵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：