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本发明的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。应变消除沟槽可在衬底上的外延层生长之前形成于衬底中。沟槽可减少由于外延层材料与衬底材料之间的材料特性的差异(例如，晶格失配、热膨胀系数的差异等)而在外延生长工艺期间出现在外延层上的应力和应...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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