一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件技术

本发明专利技术涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明专利技术所述的GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化处理；在所述绝缘层上制备电极。本发明专利技术方法通过在原本的晶圆背面制备氮化镓晶体管需要的源极、漏极、栅极，以减少晶体管原生的晶格缺陷，大幅提升最终产品的性能、优良率以及可靠性。优良率以及可靠性。优良率以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件


[0001]本专利技术涉及GaN器件制备
，特别是涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。

技术介绍

[0002]第三代半导体，就是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和金刚石为代表的半导体材料，其中技术较为成熟、应用较多的主要是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。目前，氮化镓(GaN)主要被用于光电子产品、大功率器件、高频微波器件以及通讯基站领域。第三代半导体在性能上展现出耐高温、耐高压、能源转换效率高、损耗低、导电性强、工作速度快、开关频率高、适用高频环境及高功率密度等优势。
[0003]GaN晶体管与采用其他半导体技术工艺的晶体管相比，其最大的一个优势是籍由氮化镓与氮化铝镓的晶格常数不匹配，会形成内应力，产生压电效应，而在氮化铝镓的下表面形成一层可导电的二维电子气。但也正是因为晶格常数不匹配，会导致氮化镓与氮化铝镓层形成众多的晶格缺陷。这些晶格缺陷影响了氮化镓晶体管的器件性能，更严重的是影响了氮化镓晶体管的可靠性。
[0004]氮化镓材料的导热性比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN器件的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化处理；在所述绝缘层上制备电极。2.根据权利要求1所述的一种GaN器件的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上制备电极，包括：蚀刻所述绝缘层，在所述绝缘层中形成源极、漏极和栅极的通孔；在所述通孔里沉积导电材料；在所述绝缘层上沉积一层金属层；定义出所述金属层的所述源极、所述漏极和所述栅极图案。3.根据权利要求1所述的一种GaN器件的制作方法，其特征在于：所述半导体衬底为Si衬底。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：洪启集成电路珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：