半导体器件的加工控制方法及高能粒子束光刻设备技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的加工控制方法及高能粒子束光刻设备，所述半导体器件的加工控制方法包括：获取目标半导体器件对应的集成电路版图；将若干层集成电路子版图分别转化为预设格式的灰度图片；对灰度图片进行色相反转，获取灰度图片对应的灰度负片；根据预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取灰度负片中各像素点对应的高能粒子束加工参数；在目标基材上依次制作相应的每一层所述材料层，并分别根据灰度负片中各像素点对应的高能粒子束加工参数，控制高能粒子束光刻设备发射高能粒子束并作用于目标基材上相应的材料层，得到目标半导体器件

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，张启华，简维廷，蒋军浩，请求不公布姓名，袁元，张勇为，
申请(专利权)人：洪启集成电路珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：