一种二次离子质谱仪中的样品观察装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种二次离子质谱仪中的样品观察装置。本发明专利技术所述的样品观察装置包括圆盘，所述圆盘上设有观察孔、光入射孔、贯穿孔和遮挡机构，所述观察孔内设置有导光柱；所述光入射孔和所述观察孔分别贯穿所述圆盘，所述光入射孔形成贯穿所述圆盘的第一导光路径，所述观察孔形成贯穿所述圆盘的第二导光路径，所述第一导光路径与所述第二导光路径延伸至所述圆盘下方的部分形成交叉区域，该交叉区域用于放置样品；所述遮挡机构包括依次连接的操作部、连接部和遮挡部，所述操作部能够可操作的通过所述连接部，并带动所述遮挡部遮挡或暴露所述观察孔。本发明专利技术所述的样品观察装置结构简单，能够有效观察样品以及样品表面二次离子的逸出情况。逸出情况。逸出情况。

【技术实现步骤摘要】
一种二次离子质谱仪中的样品观察装置


[0001]本专利技术涉及二次离子质谱仪
，特别是涉及一种二次离子质谱仪中的样品观察装置。

技术介绍

[0002]二次离子质谱仪(SecondaryIonMassSpectroscopy，SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它具有高灵敏度(最低可探测浓度达到ppm甚至ppb数量级)、高分辨率(大约10
‑9) 和低检测极限(绝对检测限10
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克)的特点，能用来检测包括氢在内所有元素的同位素丰度比，能分析样品中未知分析化合物的组分及分子结构，能获取样品表层信息，能进行线扫描分析，能生成离子分布的三维图像，也能对特定的元素进行微区的成像及深度剖面分析。
[0003]因为二次离子质谱仪具有极高的灵敏度，所以特别适用于对微区的掺杂、元素及其同位素、杂质沾污和材料组成进行定量分析。尤其是在半导体领域，因为其工艺对掺杂的浓度和纯度具有特别高的要求，所以在使用二次离子质谱仪对制备的样品进行分析过程中，为了能够清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二次离子质谱仪中的样品观察装置，设置于二次离子质谱仪内，其特征在于，该装置包括：圆盘，所述圆盘上设有观察孔、光入射孔、贯穿孔和遮挡机构，所述观察孔内设置有导光柱；所述光入射孔和所述观察孔分别贯穿所述圆盘，所述光入射孔形成贯穿所述圆盘的第一导光路径，所述观察孔形成贯穿所述圆盘的第二导光路径，所述第一导光路径与所述第二导光路径延伸至所述圆盘下方的部分形成交叉区域，该交叉区域用于放置样品；所述遮挡机构包括依次连接的操作部、连接部和遮挡部，所述操作部设置于所述圆盘的上端面，所述连接部设置于所述贯穿孔内，所述遮挡部设置于所述圆盘的下端面，所述操作部能够可操作的通过所述连接部，并带动所述遮挡部遮挡或暴露所述观察孔。2.根据权利要求1所述的一种二次离子质谱仪中的样品观察装置，其特征在于：所述操作部包括驱动板，所述连接部包括传动柱，所述遮挡部包括遮挡片，所述驱动板与所述遮挡片分别平行于所述圆盘的端面，所述驱动板与所述传动柱的上端固定连接，所述传动柱的下端与所述遮挡片固定连接。3.根据权利要求2所述的一种二次离子质谱仪中的样品观察装置，其特征在于：所述操作部还包括推动柱，所述推动柱设置于所述驱动板远离所述传动柱的一端，所述推动柱用于连接一延伸至所述二次离子质谱仪外部的推动杆。4.根据权利要求2所述的一种二次离子质谱仪中的样品观察装置，其特征在于：所述圆盘的上端面还设置有凹槽，...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：洪启集成电路珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：