一种GaN器件的制作方法及一种GaN器件技术

本发明专利技术涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明专利技术所述的一种GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；在所述第二GaN层上生长一层金属基层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行平坦化处理；在所述第一绝缘层上制备电极。本发明专利技术所述的一种GaN器件的制作方法具有增强GaN器件散热能力的优点。的制作方法具有增强GaN器件散热能力的优点。的制作方法具有增强GaN器件散热能力的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN器件的制作方法及一种GaN器件


[0001]本专利技术涉及GaN器件制备
，特别是涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。

技术介绍

[0002]第三代半导体，就是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和金刚石为代表的半导体材料，其中技术较为成熟、应用较多的主要是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。目前，氮化镓(GaN)主要被用于光电子产品、大功率器件、高频微波器件以及通讯基站领域。第三代半导体在性能上展现出耐高温、耐高压、能源转换效率高、损耗低、导电性强、工作速度快、开关频率高、适用高频环境及高功率密度等优势。
[0003]GaN晶体管比传统硅晶体管功率密度更高，可承受的工作温度更高(～500℃)，但与所有半导体器件一样，GaN晶体管工作时也会产生多余热量，若这些芯片内产生热量不能及时散出，将会影响芯片的使用性能，从而影响其电性能，使其功能失效。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的在于，提供一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件，其具有可以增强GaN器件散热能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN器件的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；在所述第二GaN层上生长一层金属基层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行平坦化处理；在所述第一绝缘层上制备电极。2.根据权利要求1所述的一种GaN器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上制备电极，包括：蚀刻所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层中形成第一绝缘层通孔，使得所述第一绝缘层通孔为源极通孔、栅极通孔和漏极通孔；在所述源极通孔、所述栅极通孔和所述漏极通孔内沉积导电材料；在所述第一绝缘层上沉积一层金属层；定义出所述金属层的所述源极、所述栅极和所述漏极图案。3.根据权利要求2所述的一种GaN器件的制作方法，其特征在于：在所述第二GaN层和所述金属基层之间生长一层第二绝缘层。4.根据权利要求3所述的一种GaN器件的制作方法，其特征在于：在所述第二绝缘层上蚀刻第二绝缘层通孔，所述第二绝缘层通孔与所述第一绝缘层通孔对应，并在所述第二绝缘层通孔内沉积导电材料。5.根据权利要求4所述的一种GaN器件的制作方法，其特征在于：将所述源极通孔和所述第二绝缘层上的与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张启华，张洁，简维廷，蒋军浩，张勇为，张洋，
申请(专利权)人：洪启集成电路珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：