固态摄像装置、电子设备和固态摄像装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够改善散热性的固态摄像装置和包括该固态摄像装置的电子设备。所述固态摄像装置包括：形成在半导体基板内的光电转换部；和导热层，所述导热层配置在所述半导体基板的一个面侧和/或另一面侧，并且包含导热率高于SiO2的材料。在所述固态摄像装置中，例如在所述光电转换部中产生的热量可以被传递到所述导热层。传递到所述导热层的热量的至少一部分在所述导热层内沿着所述导热层朝着所述导热层的端面移动，并从所述端面释放到外部。部。部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像装置、电子设备和固态摄像装置的制造方法


[0001]根据本公开的技术(在下文中也称为“本技术”)涉及一种固态摄像装置、电子设备和固态摄像装置的制造方法。更具体地，本技术涉及对被摄体成像的固态摄像装置等。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种包括形成在半导体基板内的光电转换部的化学传感器(固态摄像装置)。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请特开No.2013
‑
88378

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在专利文献1公开的化学传感器中，存在改善散热性的改进余地。
[0008]因此，本技术的主要目的是提供一种能够改善散热性的固态摄像装置、包括该固态摄像装置的电子设备和该固态摄像装置的制造方法。
[0009]问题的解决方案
[0010]本技术提供了一种固态摄像装置，包括：
[0011]形成在半导体基板内的至少一个光电转换部；和
[0012]导热层，所述导热层配置在所述半导体基板的一个面侧和/或另一面侧，并且包含导热率高于SiO2的材料。
[0013]在根据本技术的固态摄像装置中，例如在至少一个光电转换部中产生的热量被传递到所述导热层。传递到所述导热层的热量的至少一部分在所述导热层内沿着所述导热层朝着所述导热层的端面移动，并从所述端面释放。
[0014]所述导热层的导热率可以等于或高于Si的导热率。
[0015]所述至少一个光电转换部可以具有PN结。
[0016]所述至少一个光电转换部可以具有电子倍增区域。
[0017]光可以从所述一个面侧入射在所述至少一个光电转换部上，和所述导热层可以具有光透过性并配置在所述一个面侧。
[0018]根据本技术的固态摄像装置还可以包括在所述一个面侧的具有光透过性的绝缘层，其中所述绝缘层的至少一部分配置在所述半导体基板和所述导热层之间。
[0019]所述导热层可以包括含有氧化铟锡、SiN、Al2O3、ZnO
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Al、AlN、SiC、富勒烯、石墨烯、氧化钛、MgO和ZnO中的任一种的材料。
[0020]光可以从所述一个面侧入射在所述至少一个光电转换部上，和根据本技术的固态摄像装置还可以包括配置在所述另一面侧并包括另一个半导体基板的逻辑基板。
[0021]所述导热层可以配置在所述半导体基板和所述另一个半导体基板之间。
[0022]在根据本技术的固态摄像装置中，绝缘层可以配置在所述半导体基板和所述另一个半导体基板之间，和所述导热层可以配置在所述绝缘层内。
[0023]所述导热层可以包括碳纳米材料或含有富勒烯的材料。
[0024]所述导热层可以包括含有石墨烯的材料。
[0025]所述导热层可以包括含有Ti、Sn、Pt、Fe、Ni、Zn、Mg、Si、W、Al、Au、Cu和Ag中的任一种的材料。
[0026]所述至少一个光电转换部可以包括多个光电转换部，并且包括将所述多个光电转换部中的相邻光电转换部分隔开的分隔壁。
[0027]所述分隔壁可以与所述导热层接触。
[0028]所述分隔壁可以包括含有金属的材料。
[0029]所述分隔壁可以贯穿所述导热层。
[0030]所述的贯穿所述导热层的分隔壁的前端可以露出于外部。
[0031]所述至少一个光电转换部可以包括多个光电转换部，和所述导热层可以被设置为跨着所述多个光电转换部中的至少两个光电转换部延伸。
[0032]所述导热层可以跨着所述半导体基板的所述一个面侧和所述另一面侧延伸。
[0033]所述导热层可以构成至少表面层。
[0034]所述导热层可以构成至少内层。
[0035]根据本技术的固态摄像装置还可以包括在所述导热层的正下方的透镜层。
[0036]根据本技术的固态摄像装置还可以包括配置在所述透镜层和所述绝缘层之间的滤色层。
[0037]根据本技术的固态摄像装置还可以包括在所述导热层的正下方的滤色层。
[0038]根据本技术的固态摄像装置还可以包括作为表面层的透镜层，其中所述导热层可以配置在所述透镜层和所述绝缘层之间。
[0039]根据本技术的固态摄像装置还可以包括作为表面层的透镜层，其中所述导热层可以配置在所述绝缘层内。
[0040]所述绝缘层可以配置在所述透镜层的正下方。
[0041]根据本技术的固态摄像装置还可以包括作为表面层的滤色层，其中所述导热层可以配置在所述滤色层和所述绝缘层之间。
[0042]根据本技术的固态摄像装置还可以包括作为表面层的滤色层，其中所述导热层可以配置在所述绝缘层内。
[0043]根据本技术的固态摄像装置还可以包括：作为表面层的透镜层；和配置在所述透镜层和所述绝缘层之间的滤色层，其中所述导热层可以配置在所述透镜层和所述滤色层之间。
[0044]根据本技术的固态摄像装置还可以包括：作为表面层的透镜层；和配置在所述透镜层和所述绝缘层之间的滤色层，其中所述导热层可以配置在所述绝缘层和所述滤色层之间。
[0045]根据本技术的固态摄像装置还可以包括：作为表面层的透镜层；和配置在所述透镜层和所述绝缘层之间的滤色层，其中所述导热层可以配置在所述绝缘层内。
[0046]所述绝缘层可以配置在所述导热层的正下方。
[0047]所述绝缘层的至少一部分可以是表面层。
[0048]所述导热层可以配置在所述绝缘层内。
[0049]本技术还提供了一种包括固态摄像装置的电子设备。
[0050]本技术还提供了一种固态摄像装置的制造方法，包括以下步骤：
[0051]在将要在其内形成光电转换部的半导体基板中形成开口；
[0052]在所述开口内的周边部中埋入绝缘材料；
[0053]在所述半导体基板上配置绝缘膜；
[0054]在所述绝缘膜中形成与所述开口内的中央部连通的另一开口；
[0055]在所述开口内的中央部和所述另一开口中埋入金属材料；和
[0056]在所述绝缘膜的与所述半导体基板相对的一侧配置导热膜。
[0057]在配置导热膜的步骤中，所述导热膜可以被配置为与埋在所述另一开口中的所述金属材料直接地或者经由另一金属材料连接。
附图说明
[0058]图1是示出作为根据第一实施方案的电子设备的相机装置的构成例的框图。
[0059]图2A是示出根据第一实施方案的固态摄像装置的一个像素的尺寸的图，图2B是示出根据第一实施方案的固态摄像装置的像素区域中的像素的配置的图。
[0060]图3是示意性示出根据第一实施方案的固态摄像装置的整体构成的断面图。
[0061]图4是示意性示出根据第一实施方案的固态摄像装置的各像素的构成的断面图。
[0062]图5是示出根据第一实施方案的固态摄像装置的制造方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态摄像装置，包括：形成在半导体基板内的至少一个光电转换部；和导热层，所述导热层配置在所述半导体基板的一个面侧和/或另一面侧，并且包含导热率高于SiO2的材料。2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述导热层的导热率等于或高于Si的导热率。3.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述至少一个光电转换部具有PN结。4.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述至少一个光电转换部具有电子倍增区域。5.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中光从所述一个面侧入射在所述至少一个光电转换部上，和所述导热层具有光透过性并配置在所述一个面侧。6.根据权利要求5所述的固态摄像装置，还包括：在所述一个面侧的具有光透过性的绝缘层，其中所述绝缘层的至少一部分配置在所述半导体基板和所述导热层之间。7.根据权利要求5所述的固态摄像装置，其中所述导热层包括含有氧化铟锡、SiN、Al2O3、ZnO
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Al、AlN、SiC、富勒烯、石墨烯、氧化钛、MgO和ZnO中的任一种的材料。8.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中光从所述一个面侧入射在所述至少一个光电转换部上，和所述固态摄像装置还包括配置在所述另一面侧且包括另一个半导体基板的逻辑基板。9.根据权利要求8所述的固态摄像装置，其中所述导热层配置在所述半导体基板和所述另一个半导体基板之间。10.根据权利要求9所述的固态摄像装置，其中绝缘层配置在所述半导体基板和所述另一个半导体基板之间，和所述导热层配置在所述绝缘层内。11.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述导热层包括碳纳米材料或含有富勒烯的材料。12.根据权利要求11所述的固态摄像装置，其中所述导热层包括含有石墨烯的材料。13.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述导热层包括含有Ti、Sn、Pt、Fe、Ni、Zn、Mg、Si、W、Al、Au、Cu和Ag中的任一种的材料。14.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述至少一个光电转换部包括多个光电转换部，并且包括将所述多个光电转换部中的相邻光电转换部分隔开的分隔壁。15.根据权利要求14所述的固态摄像装置，其中所述分隔壁与所述导热层接触。16.根据权利要求14所述的固态摄像装置，其中所述分隔壁包括含有金属的材料。17.根据权利要求15所述的固态摄像装置，其中所述分隔壁贯穿所述导热层。18.根据权利要求17所述的固态摄像装置，其中所述的贯穿所述导热层的分隔壁的前端露出于外部。19.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述至少一个光电转换部包括多个光电转换部，和
所述导热层被设置为跨着所述多个光电转换部中的至少两个光电转换部延伸。20.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫田里江，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：