电子封装体制造技术

本实用新型专利技术公开一种电子封装体，其包括至少一次封装体。次封装体包括多个芯片、一金属层、至少一桥元件及一中介导通结构。这些芯片的每一个具有一有源面、一背面及连接有源面及背面的多个侧面。金属层直接覆盖这些芯片的每一个的背面及这些侧面，并暴露出这些有源面。桥元件与这些芯片的至少两个局部重叠，并电连接对应的这些有源面。中介导通结构配置在金属层及这些芯片上且包覆桥元件，并电连接这些有源面。源面。源面。

【技术实现步骤摘要】
电子封装体


[0001]本技术涉及一种电子零件，且特别是涉及一种电子封装体。

技术介绍

[0002]目前用于多芯片的电子封装技术有很多种类型，其中一种类型是在多芯片上制作重布线路结构，并可在制作重布线路结构的过程中，将一芯片跨接在多个相邻的芯片上这些相邻的芯片之间的信号传递。再一种类型是将多个芯片堆叠在线路载板或中介元件(interposer)上，并通过芯片内的硅通孔 (Through Silicon Via,TSV)来提供垂直的导通路径。而在同一封装体中配置越多的芯片，最常造成的问题是散热问题，而这个问题是目前需要被解决的。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种电子封装体，用以提供良好的散热效能。
[0004]为达上述目的，本技术提供的电子封装体包括至少一次封装体。次封装体包括多个芯片、一金属层、至少一桥元件及一中介导通结构。这些芯片的每一个具有一有源面、一背面及连接有源面及背面的多个侧面。金属层直接覆盖这些芯片的每一个的背面及这些侧面，并暴露出这些有源面。桥元件与这些芯片的至少两个局部重叠，并电连接对应的这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装体，其特征在于，该电子封装体包括：至少一次封装体，包括：多个芯片，该些芯片的每一个具有有源面、背面及连接该有源面及该背面的多个侧面；金属层，直接覆盖该些芯片的每一个的该背面及该些侧面，并暴露出该些有源面；至少一桥元件，与该些芯片的至少两个局部重叠，并电连接对应的该些有源面；以及中介导通结构，配置在该金属层及该些芯片上且包覆该至少一桥元件，并电连接该些有源面。2.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于，该金属层的厚度大于该芯片的厚度。3.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于，该桥元件是由多个介电层和多个导电层所构成，无半导体晶体管配置。4.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于，该芯片的散热途径至少包括每一个该芯片的该背面及该些侧面。5.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于，对一个参考投影面来说，该芯片的投影会落在该重布线路结构的投影的内部。6.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于，该次封装体还包括：重布线路结构，配置在该中介导通结构上。7.如权利要求6所述的电子封装体，其特征在于，该次封装体还包括：多个导电凸块，配置在该重布线路结构上。8.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于，该次封装体还包括：多个导电凸块，配置在该中介导通结构上。9.如权利要求1所述的电子封装体，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文远，陈伟政，宫振越，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：