一种图案形成方法技术

本发明专利技术公开了一种图案形成方法

【技术实现步骤摘要】
一种图案形成方法、图案以及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种图案形成方法
、
图案以及半导体器件
。

技术介绍

[0002]在半导体
，为提高半导体器件的性能和降低生产成本，集成电路的集成度越来越高，集成电路上的晶体管的特征尺寸越来越小
。
据此，在具体生产中就需要提供更精密的技术，即在半导体衬底上形成更精细
、
深度更深的图案
。
[0003]在现有的图案形成工艺中，一般的流程大致为在衬底上提供一用于形成图案的膜层，在膜层上设置一牺牲层，通过光刻工艺将牺牲层图案化形成若干牺牲线，在牺牲线以及膜层上设置一阻挡层，通过回刻工艺使阻挡层形成侧墙，以侧墙为掩模，通过蚀刻工艺使膜层图案化
。
其中，现有的阻挡层材料一般设置为
SiO2，由于
SiO2具有较高的刻蚀率，采用该材料形成侧墙在蚀刻工艺中只能得到较为粗略
、
深度较浅的图案；若将牺牲层的厚度增大以获得深度较深的图案，在刻蚀工艺中，就不能将衬底暴露出来，且图案的精细度较低
。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是如何获得更精细
、
深度更深的图案，目的在于提供一种图案形成方法
、
图案以及半导体器件
。
[0005]本专利技术通过下述技术方案实现：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种图案形成方法，该方法包括：
[0007]提供一衬底，在所述衬底上形成有膜层
、
位于所述膜层上的牺牲层；
[0008]通过光刻
、
刻蚀工艺图形化所述牺牲层以形成牺牲线；
[0009]在所述膜层以及牺牲层上形成
SiON
阻挡层；
[0010]通过回刻工艺去除膜层以及牺牲线表面的
SiON
阻挡层以在所述牺牲线两侧分别形成侧墙；
[0011]以所述侧墙为掩模，通过刻蚀去除所述膜层以及牺牲线以暴露衬底；
[0012]去除侧墙
。
[0013]在一可能的实施例中，所述
SiON
阻挡层通过原子层沉积工艺形成
。
[0014]在一可能的实施例中，所述原子层沉积工艺包括以下内容：
[0015]在所述牺牲层以及膜层表面形成单层硅；
[0016]气洗所述单层硅；
[0017]通入
O2的等离子体作为第一前驱体；
[0018]气洗所述单层硅表面；
[0019]通入
NH3的等离子体作为第二前驱体；
[0020]气洗所述单层硅表面
。
[0021]在一可能的实施例中，所述气洗采用的气体为氩气
。
[0022]在一可能的实施例中，所述氩气的流动速率为
10
～
8000sccm。
[0023]在一可能的实施例中，通入所述等离子体的功率为
10
～
1000W。
[0024]在一可选的实施例中，所述单层硅的材料既可以被配置为双二乙氨基硅烷，也可以被配置为双叔丁基氨基硅烷
。
[0025]第二方面，本专利技术提供一种图案，该图案采用如上述任一种图案形成方法形成
。
[0026]第三方面，本专利技术提供一种半导体器件，该半导体器件包括上述的图案
。
[0027]本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0028]本专利技术提供的一种图案形成方法，在形成阻挡层时，将阻挡层的材料设置为
SiON
，由于
SiON
较
SiO2具有更低的刻蚀率，当
SiON
阻挡层形成侧墙后，其能够减缓刻蚀速率，在衬底本暴露之前，侧墙能够有效的阻止其掩盖下的膜层区域被刻蚀，从而能够允许膜层被制造得更厚以获得更精细
、
深度更深的图案；在此基础上，采用原子层气相沉积工艺形成
SiON
阻挡层相较于传统的采用原子层气象沉积工艺形成
SiO2阻挡层，原子层气相工艺所采用的气体及工艺步骤几乎不变，即在现有的形成方法的基础上进行改进以获得本专利技术的形成方法时，工艺调整成本更低
、
设备调整
/
替换成本更低
。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术示例性实施方式的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图
。
[0030]图1为本专利技术实施例提供的图案形成方法光刻前的断面结构示意图；
[0031]图2为本专利技术实施例提供的图案形成方法光刻后的断面结构示意图；
[0032]图3为本专利技术实施例提供的图案形成方法形成阻挡层后的断面结构示意图；
[0033]图4为本专利技术实施例提供的图案形成方法形成侧墙后的断面结构示意图；
[0034]图5为本专利技术实施例提供的图案形成方法去除牺牲线后的断面结构示意图；
[0035]图6为本专利技术实施例提供的图案形成方法刻蚀膜层后的断面结构示意图；
[0036]图7为本专利技术实施例提供的图案形成方法去除侧墙后的断面结构示意图；
[0037]图8为采用本专利技术实施例提供的图案形成方法获得的图案与采用现有技术提供的图案形成方法获得的图案的对比例示意图；
[0038]图9为本专利技术实施例提供的一种图案形成方法的流程示意图
。
[0039]附图中标记及对应的零部件名称：
[0040]100
‑
衬底，
101
‑
膜层，
1011
‑
第一图案线，
1012
‑
第二图案线，
1013
‑
第三图案线，
1014
‑
第四图案线，
102
‑
牺牲层，
1021
‑
第一牺牲线，
1022
‑
第二牺牲线，
103
‑
阻挡层，
1031
‑
第一侧墙，
1032
‑
第二侧墙，
1033
‑
第三侧墙，
1034
‑
第四侧墙
。
具体实施方式
[0041]为使本专利技术的目的
、
技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定
。
[0042]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种图案形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底
(100)
，在所述衬底
(100)
上形成有膜层
(101)、
位于所述膜层
(101)
上的牺牲层
(102)
；通过光刻
、
刻蚀工艺图形化所述牺牲层
(102)
以形成牺牲线；在所述膜层
(101)
以及牺牲层
(102)
上形成
SiON
阻挡层
(103)
；通过回刻工艺去除膜层
(101)
以及牺牲线表面的
SiON
阻挡层
(103)
以在所述牺牲线两侧分别形成侧墙；以所述侧墙为掩模，通过刻蚀去除所述膜层
(101)
以及牺牲线以暴露衬底
(100)
；去除侧墙
。2.
根据权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，所述
SiON
阻挡层
(103)
通过原子层沉积工艺形成
。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：金志勋，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：