【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，具体而言，涉及一种腔室导通阀门冷却装置和半导体制造设备。
技术介绍
1、在诸如反应腔室等半导体设备领域，设备单元中的反应腔室(chamber)间的移动通路上通常需要设置闸门阀(gate valve)，因为反应腔室内的反应进程的温度影响，有可能使得阀门处温度上升，而随着温度上升，有可能造成进程质膜被镀膜，从而进行连续进行镀膜，而累积到一定量后，可能会产生掉落，从而产生微粒杂质，影响反应腔室内的正常反应。
技术实现思路
1、本专利技术的目的包括，例如，提供了一种腔室导通阀门冷却装置和半导体制造设备，其能够有效降低阀门处温度，避免产生微粒杂质。
2、本专利技术的实施例可以这样实现：
3、第一方面，本专利技术提供一种腔室导通阀门冷却装置，包括：
4、导通管路，所述导通管路具有用于连通相邻反应腔室的导通开口；
5、阀门组件，用于选择性地封堵所述导通开口；
6、冷却通路，嵌设在所述导通管路内，并环绕所述导通开口设置；
7、其中，所述冷却通路中设置有冷却液，用于与通过所述导通开口的流体进行热交换。
8、在可选的实施方式中，所述冷却通路具有一供应接口和回水接口，所述供应接口用于与外部供应管道连接，以向所述冷却通路提供所述冷却液，所述回水接口用于与外部回水管道连接，以回收换热后的所述冷却液。
9、在可选的实施方式中，所述导通管路上还设置有温度传感器，所述温度传感器部分伸入所述导通
10、在可选的实施方式中，所述冷却阀为电磁截止阀，所述电磁截止阀用于在所述导通开口的温度大于30℃时开启，并用于在所述导通开口的温度小于15℃时关闭，以使所述导通开口的温度控制在15℃-30℃之间。
11、在可选的实施方式中，所述冷却阀为电磁流量阀，所述电磁流量阀用于依据所述导通开口的温度来控制所述冷却通路的流量。
12、在可选的实施方式中，所述导通管路采用铁、铝、钛中的至少一种金属制成。
13、在可选的实施方式中，所述冷却液为氦气、冷却水或去离子水。
14、在可选的实施方式中，所述阀门组件包括阀板、驱动件和电控模组，所述驱动件设置在所述导通管路下方，并与所述电控模组连接，所述阀板与所述驱动件连接，并在所述驱动件的带动下封堵所述导通开口或打开所述导通开口。
15、在可选的实施方式中，所述阀门组件还包括容置壳体，所述容置壳体与所述导通管路连接，所述驱动件和所述电控模组均容置在所述容置壳体内。
16、第二方面，本专利技术提供一种半导体制造设备，包括至少两个反应腔室和如前述实施方式任一项所述的腔室导通阀门冷却装置，所述导通管路设置在相邻两个所述反应腔室之间，相邻两个所述反应腔室通过所述导通开口连通。
17、本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
18、本专利技术实施例提供的腔室导通阀门冷却装置，通过导通管路上的导通开口来连通相邻的反应腔室，在导通管路上还设置有阀门组件，该阀门组件能够选择性地封堵该导通开口，同时导通管路内还嵌设有冷却通路，冷却通路环绕导通开口设置，并且冷却通路中设置有冷却液，用于与通过导通开口的流体进行热交换，从而起到降温的效果。相较于现有技术，本专利技术通过设置冷却通路，并灌输冷却液进行冷却，有效降低了导通管路处的温度，避免导通管路处产生微粒杂质，从而保证了反应腔室的正常使用。
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1.一种腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却通路具有一供应接口和回水接口，所述供应接口用于与外部供应管道连接，以向所述冷却通路提供所述冷却液，所述回水接口用于与外部回水管道连接，以回收换热后的所述冷却液。
3.根据权利要求2所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述导通管路上还设置有温度传感器，所述温度传感器部分伸入所述导通开口，用于检测所述导通开口内的温度，且所述供应接口处设置有冷却阀，所述冷却阀与所述温度传感器电连接，用于依据所述导通开口的温度调整开度。
4.根据权利要求3所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却阀为电磁截止阀，所述电磁截止阀用于在所述导通开口的温度大于30℃时开启，并用于在所述导通开口的温度小于15℃时关闭，以使所述导通开口的温度控制在15℃-30℃之间。
5.根据权利要求3所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却阀为电磁流量阀，所述电磁流量阀用于依据所述导通开口的温度来控制所述冷却通路的流量。
6.根据权利要
7.根据权利要求1所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却液为氦气、冷却水或去离子水。
8.根据权利要求1所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述阀门组件包括阀板、驱动件和电控模组，所述驱动件设置在所述导通管路下方，并与所述电控模组连接，所述阀板与所述驱动件连接，并在所述驱动件的带动下封堵所述导通开口或打开所述导通开口。
9.根据权利要求8所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述阀门组件还包括容置壳体，所述容置壳体与所述导通管路连接，所述驱动件和所述电控模组均容置在所述容置壳体内。
10.一种半导体制造设备，其特征在于，包括至少两个反应腔室和如权利要求1-9任一项所述的腔室导通阀门冷却装置，所述导通管路设置在相邻两个所述反应腔室之间，相邻两个所述反应腔室通过所述导通开口连通。
...【技术特征摘要】
1.一种腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却通路具有一供应接口和回水接口，所述供应接口用于与外部供应管道连接，以向所述冷却通路提供所述冷却液，所述回水接口用于与外部回水管道连接，以回收换热后的所述冷却液。
3.根据权利要求2所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述导通管路上还设置有温度传感器，所述温度传感器部分伸入所述导通开口，用于检测所述导通开口内的温度，且所述供应接口处设置有冷却阀，所述冷却阀与所述温度传感器电连接，用于依据所述导通开口的温度调整开度。
4.根据权利要求3所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却阀为电磁截止阀，所述电磁截止阀用于在所述导通开口的温度大于30℃时开启，并用于在所述导通开口的温度小于15℃时关闭，以使所述导通开口的温度控制在15℃-30℃之间。
5.根据权利要求3所述的腔室导通阀门冷却装置，其特征在于，所述冷却阀为电磁流量阀，所述电磁流量阀用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐康元，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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