一种快速检测曝光设备输出变化的光罩以及检测方法技术

本发明专利技术涉及曝光设备领域，公开了一种快速检测曝光设备输出变化的光罩以及检测方法，包括光罩本体，所述光罩本体对应晶圆的一个曝光区域设有镂空的第一图案，所述第一图案由若干第一线条组成，或者所述第一图案由若干第一线条以及接触孔组成，若干所述第一线条或者若干所述线条结合接触孔能够形成预设的半导体导线回路，当一个曝光区域设有多个不同的半导体导线回路，则垂直于相邻两个所述半导体导线回路所在区域的横向相接边界以及曝光区域对应的光罩本体横向设置的相对两侧边设有由若干第二线条组成的线条组。本发明专利技术通过设置监测图案，可以快速的检测出曝光设备的最佳焦点、曝光区域偏移度以及狭缝均匀性是否改变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及曝光设备领域，具体涉及一种快速检测曝光设备输出变化的光罩以及检测方法。

技术介绍

1、按照曝光区域可以把晶圆表面分成若干大小相同的矩形区域的网格，每一个网格内的区域被称为一个单元(cell)，每一个cell里有一个曝光区域(shot)，曝光区域的面积比cell略小一点，每一个曝光区域内会光刻多个芯片纹路(die，也可以成为半导体导线回路)，每个die之间由通道间隔开。

2、在半导体制造工艺中，特别是在半导体生产现场处理曝光设备的过程中，为了避免发生不良，一直都在采取相应的措施。

3、光刻工艺中，曝光设备的透镜(lens)性能(包括焦点变化(focus variation)、不同光照系统的狭缝均匀性(slit uniformity)以及曝光区域偏移(shot tilt)等)的管理非常重要。而且，随着布局规则(design rule)的原因导致晶圆的加工余量(process margin)变小，因此，曝光设备的准确性的能力异常的变更管理也是必不可少的。

4、如何快速检测曝光设备的透镜性能，成为了目前非常需要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种快速检测曝光设备输出变化的光罩，其特征在于，包括光罩本体，所述光罩本体对应晶圆的一个曝光区域设有镂空的第一图案，所述第一图案由若干第一线条组成，或者所述第一图案由若干第一线条以及接触孔组成，若干所述第一线条或者若干所述线条结合接触孔能够形成预设的半导体导线回路，当一个曝光区域对应一个半导体导线回路时，垂直于所述曝光区域对应的光罩本体横向设置的相对两侧边设有由若干第二线条组成的线条组，用于光刻在晶圆上形成监测图案，当一个曝光区域设有多个不同的半导体导线回路，则垂直于相邻两个所述半导体导线回路所在区域的横向相接边界以及曝光区域对应的光罩本体横向设置的相对两侧边设有由若干第二线条组成的...

【技术特征摘要】

1.一种快速检测曝光设备输出变化的光罩，其特征在于，包括光罩本体，所述光罩本体对应晶圆的一个曝光区域设有镂空的第一图案，所述第一图案由若干第一线条组成，或者所述第一图案由若干第一线条以及接触孔组成，若干所述第一线条或者若干所述线条结合接触孔能够形成预设的半导体导线回路，当一个曝光区域对应一个半导体导线回路时，垂直于所述曝光区域对应的光罩本体横向设置的相对两侧边设有由若干第二线条组成的线条组，用于光刻在晶圆上形成监测图案，当一个曝光区域设有多个不同的半导体导线回路，则垂直于相邻两个所述半导体导线回路所在区域的横向相接边界以及曝光区域对应的光罩本体横向设置的相对两侧边设有由若干第二线条组成的线条组，用于光刻在晶圆上形成监测图案，且所述监测图案由多组具有相同间隔的线条组组成。

2.根据权利要求1所述的一种快速检测曝光设备的输出变化的结构，其特征在于，若干所述第二线条的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的一种快速检测曝光设备的输出变化的结构，其特征在于，在一组线条组中，光刻在所述曝光区域的相邻两个所述第二线条中的其中一个第二线条远离另一个第二线条的一侧与另一个第二线条靠近该第二线条的一侧之间的距离为78nm。

4.根据权利要求1所述的一种快速检测曝光设备的输出变化的结构，其特征在于，光刻在所述曝光区域的所述第二线条的宽度为39nm，光刻在所述曝光区域的两个所述第二线条之间的距离为39nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥华，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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