本发明公开了一种基于弹簧针的探针卡测试装置、测试方法和测试系统，包括基座、支撑柱和测试板，支撑柱的下端与基座固定连接；测试板的下侧面与支撑柱的上端固定连接；测试板包括基板、测试垫和电路组件，基板的下侧面与支撑柱的上端固定连接；测试垫的测...

本发明提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，该方法首先在衬底上形成多个金属线，然后在金属线的表面沉积形成保护层，再在金属线的侧边形成牺牲层，再在间隔开口内填充形成第一介质层，第一介质层包覆牺牲层并露出牺牲层的顶...

一种气体喷淋头洗净设备及方法，涉及半导体技术领域，该气体喷淋头洗净设备包括外壳、以及设置在外壳上的进液管、排液管、进气管和排气管，进液管用于向外壳内通入清洗剂，以使容置于外壳内的气体喷淋头浸泡在清洗剂内，排液管用于将外壳内的清洗剂排空，...

本发明公开了用于多芯片封装的凸块制备工艺，包括以下步骤：S1、在加工完成的芯片上端面沉积高密度等离子体层，S2、在高密度等离子体层的上端面沉积氮化硅层；S3、在氮化硅层的上端面涂覆抗反射涂层；S4、在抗反射涂层的上端面沉积光刻胶层；S5...

本发明公开了一种用于半导体扩散炉的晶圆冷却结构及系统，该冷却结构包括冷却水线路，冷却水线路围绕冷却室的晶舟升降机外围设置；晶舟升降机能够将晶舟内的晶圆从反应室传输至冷却室进行冷却；冷却水线路内装入冷却水，用于为晶舟升降机内的晶圆进行冷却...

本发明公开了一种利用半导体的加工沟槽进行间隙填充的方法，包括如下步骤：步骤1)加工成型半导体,所述成型半导体上形成有多个沟槽；步骤2)在成型半导体的所述沟槽与沟槽之间的成型半导体上沉积聚合脂；步骤3)在成型半导体的沟槽内沉积Si，所述沉...

一种化学机械抛光设备，涉及半导体技术领域，该化学机械抛光设备包括拆装组件和抛光组件，拆装组件包括至少两个沿周向同轴心设置的第一HCLU，抛光组件包括至少两组，至少两组抛光组件沿周向同轴心设置，每组抛光组件包括抛光盘以及至少两个沿周向同轴...

本发明公开了多种化学物质循环混合装置及半导体清洗设备，涉及半导体加工技术领域，其技术方案要点是：包括混合器和至少两个输送管路，输送管路的出口端均与混合器的入口端连接；其中，所述混合器同时将所有输送管路中的化学物质分流成多个分支流体，并将...

一种半导体微粒检测装置自检方法，在半导体微粒检测装置检测晶圆时，选取待测晶圆部分区域作为测试区域进行先后两次扫描检测，比较两次检测数据的偏差值，若偏差值超过设定的阈值，表示样本表面产生有由检测源造成的污染，停止检测并排除样本，反之则进行...

本发明公开了一种用于快速热处理设备的零件间隙检测调节系统，包括：磁浮驱动单元、磁浮转子、传感单元和控制单元，待处理晶圆置于磁浮转子之上，所述磁浮转子基于磁浮驱动单元产生的磁场完成于工艺腔内的悬浮；所述传感单元包括若干用于测量磁浮转子与工...

本发明公开了一种CMP金刚石盘清洁装置，所述清洁装置包括：清洁腔和超声发生器，所述超声发生器设置于所述清洁腔底板之上，所述清洁腔内盛放有清洗液，待清洁处理的金刚石盘浸没于所述清洗液内，所述清洗液基于超声发生器产生的超声波完成对金刚石盘上...

本发明公开了一种用于晶圆上光刻胶的烘烤装置，所述烘烤装置为密闭式结构，烘烤装置的顶板上设有排气口，所述烘烤装置内设有若干烘烤腔，烘烤腔的底部设有加热板，待烘烤的晶圆置于加热板的上方，所述烘烤腔的顶部中央设有用于排出晶圆上光刻胶加热产生的...

本发明提供了提出了一种晶圆标记方法，通过准分子激光器产生准分子激光光束，传输到光刻装置，由光刻装置通过准分子激光光束对晶圆进行ID标记。本发明提出的晶圆标识方法，直接在现有的光刻装置上就能完成晶圆ID的重新标识，不需要额外适用专用的晶圆...

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。本发明解决了现有技术存在的底部氧化物区域发生蜗牛状缺陷等问题。

本发明公开了基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法及装置，涉及半导体加工技术领域，其技术方案要点是：沉积掩模后测量照片曝光前的晶圆曲翘；结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值；依据曝光偏移补偿值对晶圆照片曝光进...

本发明公开了一种电离室顶孔结构、电离室及离子源，涉及离子产生设备技术领域；电离室顶孔结构，包括顶板，所述顶板中部设有安装槽，所述安装槽贯穿所述顶板设置；所述安装槽内适配有孔板，且所述孔板与所述顶板可拆卸连接，所述顶板中部设有顶孔，当离子...

本发明公开了一种提高半导体电容器容量的方法、电容器、半导体设备。提高半导体电容器容量的方法包括对电容器进行LAL揭开‑剥离工艺处理后，去除电容器上的SiN类膜质以降低膜质的厚度，用以增大电容器容量。通过降低电容器上的SIN系列膜层的厚度...

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及基于IDM套刻误差量测的对准标记结构及形成方法和工艺，包括主要量测区域和对准标记区域，所述对准标记区域位于主要量测区域一侧，每层光刻时，主要量测区域与芯片上功能区域的图案同样被曝光，对准标记区域用于...

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体元件制造过程中防止接触孔扩大的方法，半导体元件制造过程中，将CC步骤的沉积工序与蚀刻工序同时进行，和/或，PC步骤的沉积工序与蚀刻工序同时进行。本发明解决了现有技术存在的接触孔变形和栅栏型面...

本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了一种套刻标记及制备方法、曝光区域和半导体制备工艺，套刻标记由刻蚀在硅层上的若干沟槽构成；套刻标记的制备方法包括以下步骤：S1、在硅层的上表面形成硬掩膜层；S2、在硬掩膜层的上表面形成光刻胶层；S3...