一种CMP金刚石盘清洁装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种CMP金刚石盘清洁装置，所述清洁装置包括：清洁腔和超声发生器，所述超声发生器设置于所述清洁腔底板之上，所述清洁腔内盛放有清洗液，待清洁处理的金刚石盘浸没于所述清洗液内，所述清洗液基于超声发生器产生的超声波完成对金刚石盘上凝结杂质的清理。通过本发明专利技术CMP金刚石盘清洁装置的结构设计，实现了金刚石盘的高质、高效的自动式清洗，避免了由于金刚石盘上凝结的研磨垫和晶片上掉落的残渣，而导致金刚石盘在对后续硅片进行抛光处理时在晶片上产生划痕的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种cmp金刚石盘清洁装置。

技术介绍

1、现代电子产品依赖于在单晶硅(si)基底中制造的微观芯片。首先，生长单晶si晶锭。然后，使用金刚石线锯将该晶锭切成细si晶片。在这个阶段，该si晶片厚且粗糙。下一个加工步骤涉及将这些晶片抛光至非常高的平整度(nm水平的整体平整度)和光洁度；以及小厚度(<1mm)。如此生产的si晶片用于通过使用诸如光刻、金属沉积、蚀刻、扩散、离子注入等工艺沉积微米和纳米尺寸的电路来构建微观芯片。化学机械抛光(cmp)的示例性应用是抛光未经加工的si晶片至极高的光洁度和平整度。

2、为了对半导体进行cmp处理，金刚石盘和研磨垫调节器是设备构成的必要条件。在研磨垫调节前后，都需要对金刚石盘用去离子水进行清洗，但是随着使用时间越来越长，金刚石盘上会凝结研磨垫和晶片上掉落的残渣，从而导致金刚石盘在对后续硅片进行抛光处理时，会在晶片上产生划痕，从而造成晶片优良率下降，诱发品质问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于，为克服现有技术缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMP金刚石盘清洁装置，其特征在于，所述清洁装置包括：清洁腔(201)和超声发生器(202)，

2.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洗液(204)为去离子水、异丙基安替比林或氨水。

3.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁腔(201)为无顶板的腔体结构。

4.如权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述金刚石盘(104)经CMP设备内夹持结构放入清洁腔(201)的清洗液(204)内。

5.如权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述夹持结构包括：升降部(100)、转动部(101)、支撑臂(102)和转轴(1...

【技术特征摘要】

1.一种cmp金刚石盘清洁装置，其特征在于，所述清洁装置包括：清洁腔(201)和超声发生器(202)，

2.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洗液(204)为去离子水、异丙基安替比林或氨水。

3.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁腔(201)为无顶板的腔体结构。

4.如权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述金刚石盘(104)经cmp设备内夹持结构放入清洁腔(201)的清洗液(204)内。

5.如权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述夹持结构包括：升降部(100)、转动部(101)、支撑臂(102)和转轴(103)；

6.如权利要求5所述的清洁装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：具滋贤，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：