一种用于晶圆上光刻胶的烘烤装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于晶圆上光刻胶的烘烤装置，所述烘烤装置为密闭式结构，烘烤装置的顶板上设有排气口，所述烘烤装置内设有若干烘烤腔，烘烤腔的底部设有加热板，待烘烤的晶圆置于加热板的上方，所述烘烤腔的顶部中央设有用于排出晶圆上光刻胶加热产生的挥发物质的通孔，且绕所述烘烤腔的侧壁上设有一圈注气孔，各注气孔外接有气体注入管线。本发明专利技术通过其结构设置，降低了光刻胶挥发物粘接在烘烤腔壁板的概率，从而降低了其掉落至晶圆上而影响晶圆品质的概率。并且，由于光刻胶挥发物几乎不粘接在烘烤腔壁板之上，也就自然的节省了相应装置的维护时间，降低了维护平次，从而提升了装置的使用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体加工领域，尤其涉及一种用于晶圆上光刻胶的烘烤装置。

技术介绍

1、半导体装置在各种电子应用中被使用，例如个人电脑、手机、数字相机以及其他电子设备。一般而言，半导体装置的制造是通过在半导体基板(例如晶片)上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，并且使用光刻工艺对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路组件和元件。

2、在半导体制造中，光刻工艺通常包括准备晶圆基板、晶圆基板预处理、涂抹光刻胶、软烘、曝光、显影、硬烘、刻蚀等工序，其中软烘是通过高温烘烤对光刻胶进行定型，使光刻胶中的溶剂成分挥发，从而减小光刻胶的薄膜应力，以及增强光刻胶在晶圆基板上的附着性。

3、如图1所示，软烘过程中，晶圆105在烘烤腔103内被加热板104加温，晶圆105表面的光刻胶或者抗反射层表面受热后挥发出高温有机物，而挥发出的气态物质在晶圆105与烘烤腔103的侧壁之间会产生乱流100，从而导致部分高温有机物无法及时完全排出烘烤腔103，容易在腔室的顶部和侧壁上形成污染物颗粒，污染物颗粒不仅对腔室造成污染，而且当污染物颗粒滴落到晶圆105本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于晶圆上光刻胶的烘烤装置，其特征在于，所述烘烤装置为密闭式结构，烘烤装置的顶板(201)上设有排气口(202)，

2.如权利要求1所述的烘烤装置，其特征在于，所述排气口(202)外接有真空泵，以完成对烘烤装置内的各类气体的吸出。

3.如权利要求1所述的烘烤装置，其特征在于，所述晶圆(207)与加热板(206)的间距小于等于0.2mm。

4.如权利要求1所述的烘烤装置，其特征在于，所述注气孔(205)位于晶圆(207)上方200mm到600mm之间。

5.如权利要求4所述的烘烤装置，其特征在于，所述注气孔(205)的面积为0.25m...

【技术特征摘要】

1.一种用于晶圆上光刻胶的烘烤装置，其特征在于，所述烘烤装置为密闭式结构，烘烤装置的顶板(201)上设有排气口(202)，

2.如权利要求1所述的烘烤装置，其特征在于，所述排气口(202)外接有真空泵，以完成对烘烤装置内的各类气体的吸出。

3.如权利要求1所述的烘烤装置，其特征在于，所述晶圆(207)与加热板(206)的间距小于等于0.2mm。

4.如权利要求1所述的烘烤装置，其特征在于，所述注气孔(205)位于晶圆(207)上方200mm到600mm之间。

5.如权利要求4所述的烘烤装置，其特征在于，所述注气孔(205)的面积为0.25mm2～4mm2。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张成根，林锺吉，金在植，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：