【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在集成电路(ic)中，例如在cmos射频集成电路(rfic)中，感应器件是一种重要的电学器件，其性能参数直接影响了集成电路的性能。集成电路中的感应器件大多为平面电感，例如平面螺旋电感。与传统的线绕电感相比，平面电感具有成本低、易于集成、噪声小和功耗低等优点，且平面电感与现有集成电路工艺的兼容性较高。
2、衡量感应器件性能好坏的一个重要指标是品质因数(q)，品质因数越高，表征感应器件的性能越好。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的工作性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：屏蔽结构，包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一金属线，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别进行接地，第一方向垂直于第二方向；保护环，环绕屏蔽结构，保护环中具有开口，用于将保护环分为沿第一方向相间隔的保护半环，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接，保护环接地。
3、本专利技术实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成屏蔽结构、以及环绕屏蔽结构的保护环，保护环接地；其中，屏蔽结构包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一金属线，保护环中具有开口，用于将保护环分为沿第一方向相间隔的保护半环，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接，第一方
4、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
5、本专利技术实施例提供的半导体结构中，屏蔽结构包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一金属线，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接，保护环接地；相比于全部第一金属线均电连接同一个保护半环的方案，本方案将部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接，使得部分第一金属线与相应保护半环串联、以及其余部分第一金属线与相应保护半环串联后再相并联，有利于增大屏蔽结构与保护环构成的衬底的电阻，从而在半导体结构的工作过程中，减小衬底上方的器件在衬底中产生的感应信号，进而减小衬底损耗，提高半导体结构的工作性能。
6、本专利技术实施例提供的形成方法中，屏蔽结构包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一金属线，保护环中具有开口，用于将保护环分为沿第一方向相间隔的保护半环，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接；相比于全部第一金属线均电连接同一个保护半环的方案，本方案将部分第一金属线与其余部分第一金属线分别与相间隔的保护半环电连接，使得部分第一金属线与相应保护半环串联、以及其余部分第一金属线与相应保护半环串联后再相并联，有利于增大屏蔽结构与保护环构成的衬底的电阻，从而在半导体结构的工作过程中，减小衬底上方的器件在衬底中产生的感应信号，进而减小衬底损耗，提高半导体结构的工作性能。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽结构中，一半所述第一金属线与其余一半所述第一金属线分别进行接地。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽结构还包括位于所述第一金属线上方的第二金属线和第三金属线，所述第二金属线与所述第三金属线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向平行排列，所述第二金属线与部分所述第一金属线电连接，所述第三金属线与其余部分所述第一金属线电连接，所述第二金属线与所述第三金属线分别与相间隔的所述保护半环电连接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属线沿所述第二方向分为部分所述第一金属线与其余部分所述第一金属线，所述第二金属线与所述保护半环电连接处作为第一连接处，所述第三金属线与所述保护半环电连接处作为第二连接处，所述第二金属线与远离所述第一连接处的部分所述第一金属线电连接，所述第三金属线与远离所述第二连接处的部分所述第一金属线电连接。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二金属线与所述第三金属线的
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽结构还包括：位于所述第一金属线下方的有源区、以及位于所述有源区上的栅极结构，所述有源区与栅极结构构成沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向平行排列的多个单元，所述单元位于所述第一金属线下方，且与所述第一金属线一一对应，在所述单元中，多个所述有源区沿所述第一方向延伸且相间隔，多个所述栅极结构沿所述第二方向延伸横跨所述有源区，且沿所述第一方向平行排列，所述栅极结构与上方对应的第一金属线电连接。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：线圈器件，位于所述屏蔽结构的上方，所述线圈器件在所述屏蔽结构表面的投影位于所述屏蔽结构所在的区域内。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述线圈器件包括电感。
9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述屏蔽结构和保护环的步骤中，一半所述第一金属线与其余一半所述第一金属线分别相间隔的所述保护半环电连接。
11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述屏蔽结构的步骤还包括：在所述第一金属线上方形成第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构包括位于第一金属线顶部的第一接触孔结构、以及位于所述第一接触孔结构顶部的第二金属线，所述第二连接结构包括位于第一金属线顶部的第二接触孔结构、以及位于所述第二接触孔结构顶部的第三金属线，所述第二金属线与所述第三金属线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向平行排列，所述第二金属线通过所述第一接触孔结构与一个所述保护半环电连接，所述第三金属线通过所述第二接触孔结构与相间隔的另一个所述保护半环电连接。
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属线的步骤中，所述第一金属线沿所述第二方向分为部分所述第一金属线与其余部分所述第一金属线；
13.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述屏蔽结构的步骤还包括：形成所述第一金属线之前，形成有源区、以及位于所述有源区上的栅极结构，所述有源区与栅极结构构成沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向平行排列的多个单元，所述单元位于所述第一金属线下方，且与所述第一金属线一一对应，在所述单元中，多个所述有源区沿所述第一方向延伸且相间隔，多个所述栅极结构沿所述第二方向延伸横跨所述有源区，且沿所述第一方向平行排列；
14.如权利要求9～13中任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述屏蔽结构与保护环之后，所述形成方法还包括：在所述屏蔽结构上方形成线圈器件，所述线圈器件在所述屏蔽结构表面的投影位于所述屏蔽结构所在的区域内。
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述线圈器件包括电感。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽结构中，一半所述第一金属线与其余一半所述第一金属线分别进行接地。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽结构还包括位于所述第一金属线上方的第二金属线和第三金属线，所述第二金属线与所述第三金属线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向平行排列，所述第二金属线与部分所述第一金属线电连接，所述第三金属线与其余部分所述第一金属线电连接，所述第二金属线与所述第三金属线分别与相间隔的所述保护半环电连接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属线沿所述第二方向分为部分所述第一金属线与其余部分所述第一金属线，所述第二金属线与所述保护半环电连接处作为第一连接处，所述第三金属线与所述保护半环电连接处作为第二连接处，所述第二金属线与远离所述第一连接处的部分所述第一金属线电连接，所述第三金属线与远离所述第二连接处的部分所述第一金属线电连接。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二金属线与所述第三金属线的间距为1μm至50μm。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽结构还包括：位于所述第一金属线下方的有源区、以及位于所述有源区上的栅极结构，所述有源区与栅极结构构成沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向平行排列的多个单元，所述单元位于所述第一金属线下方，且与所述第一金属线一一对应，在所述单元中，多个所述有源区沿所述第一方向延伸且相间隔，多个所述栅极结构沿所述第二方向延伸横跨所述有源区，且沿所述第一方向平行排列，所述栅极结构与上方对应的第一金属线电连接。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：线圈器件，位于所述屏蔽结构的上方，所述线圈器件在所述屏蔽结构表面的投影位于所述屏蔽结构所在的区域内。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述线圈器件包括电感。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，王西宁，钱蔚宏，邬庆，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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