【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及sige沟道的形成方法。
技术介绍
1、针对fdsoi结构而言，传统的做法是，在fdsoi裸露的硅表面利用选择性外延生长sige,以形成sige/si构造，然后在sige上方生长一层氧化硅，再辅助以热退火工艺，在此热退火工艺过程中，表面的sio2和sige中的si进一步反应，而ge原子在热的作用下，进一步向下扩散，和fdsoi表面的si形成sige沟道。然后再通过刻蚀工艺去除表面的siox，再通过热工艺，形成质量更为致密的siox以作为器件的栅氧化层使用。这种方法，使用了两步热工艺，热预算较大，较大程度的限制了外延生长sige中的ge的浓度，一定范围内限制了器件性能的提升；同时，由于较早推入ge到fdsoi上层si中以形成sige通道，增加了sige在后续工艺中由于热处理而导致的弛豫风险。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种sige沟道的形成方法，用于解决现有技术中sige在fdsoi工艺中由于热处理而导致的弛豫风险的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种sige沟道的形成方法，至少包括：
3、步骤一、提供fdsoi结构，所述fdsoi结构包括硅衬底、位于所述硅衬底上的第一氧化硅层、位于所述第一氧化硅层上的硅层；所述硅层上覆盖有硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成贯通其上下表面凹槽区域，所述凹槽区域将所述硅层的上表面暴露；
4、步骤二、在所述凹槽区域填充sig
5、步骤三、在所述sige薄膜的上表面形成第二氧化硅层；所述第二氧化硅层、sige薄膜以及位于所述sige薄膜下的所述硅层构成堆栈结构；
6、步骤四、去除所述硬掩膜层；
7、步骤五、在氨气和氧气氛围中对所述堆栈结构进行热处理，形成sio2-sige沟道。
8、优选地，步骤二通过外延生长的方式在所述凹槽区域填充sige。
9、优选地，步骤三中通过对所述sige薄膜进行氧化，在其上表面形成所述第二氧化硅层。
10、优选地，步骤五中形成所述sio2-sige沟道的方法为：所述sige薄膜中的ge原子在热的作用下扩散进入所述硅层中，与所述硅层中的si形成sige沟道；所述sige薄膜中的si被氧化形成第三氧化硅层；所述第二氧化硅层、第三氧化硅层以及所述sige沟道共同构成所述sio2-sige沟道。
11、优选地，步骤五中的所述氨气的流量为5-20l。
12、优选地，步骤五中所述热处理的温度为850～1100℃。
13、优选地，步骤五中通入所述氨气的时间为1-5min。
14、优选地，步骤五中所述氧气的流量为30-250ml。
15、优选地，步骤五中通入所述氧气的时间为30s～3min。
16、优选地，步骤五中所述氨气和氧气的氛围的压力为3-20托。
17、如上所述，本专利技术的sige沟道的形成方法，具有以下有益效果：本专利技术形成sige沟道,降低sige在后续热处理过程中的弛豫风险，在氨气推进ge原子的同时，通入少量氧气，可有效改善栅氧表面由于硬掩膜去除引起的损伤，同时有效降低si/sige界面的缺陷，降低sio2自身的平带电压vfb，可以得到质量更为优质的栅氧。
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1.一种SiGe沟道的形成方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤二通过外延生长的方式在所述凹槽区域填充SiGe。
3.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤三中通过对所述SiGe薄膜进行氧化，在其上表面形成所述第二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中形成所述SiO2-SiGe沟道的方法为：所述SiGe薄膜中的Ge原子在热的作用下扩散进入所述硅层中，与所述硅层中的Si形成SiGe沟道；所述SiGe薄膜中的Si被氧化形成第三氧化硅层；所述第二氧化硅层、第三氧化硅层以及所述SiGe沟道共同构成所述SiO2-SiGe沟道。
5.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中的所述氨气的流量为5-20L。
6.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中所述热处理的温度为850～1100℃。
7.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中通
8.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中所述氧气的流量为30-250ml。
9.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中通入所述氧气的时间为30s～3min。
10.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中所述氨气和氧气的氛围的压力为3-20托。
...【技术特征摘要】
1.一种sige沟道的形成方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的sige沟道的形成方法，其特征在于：步骤二通过外延生长的方式在所述凹槽区域填充sige。
3.根据权利要求1所述的sige沟道的形成方法，其特征在于：步骤三中通过对所述sige薄膜进行氧化，在其上表面形成所述第二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的sige沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中形成所述sio2-sige沟道的方法为：所述sige薄膜中的ge原子在热的作用下扩散进入所述硅层中，与所述硅层中的si形成sige沟道；所述sige薄膜中的si被氧化形成第三氧化硅层；所述第二氧化硅层、第三氧化硅层以及所述sige沟道共同构成所述sio2-sige沟道。
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【专利技术属性】
技术研发人员：成鑫华，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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