电平转换电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电平转换电路，包括：连接在第一电源电压和地之间的上拉和下拉电路。下拉电路包括串联的第一和第二子电路。第一子电路的控制端连接偏置电压，第一子电路的第一端连接高压输出端、第二端连接第二子电路的第一端。第二子电路的第二端接地、控制端为低压输入端。第一子电路的第二端的电压跟随偏置电压变化；偏置电压的大小设置为使第一子电路保持为导通状态并使第一子电路的第二端的电压的最大值小于等于第二子电路的耐压。本发明专利技术在下拉电路中不需要采用本征高压MOS器件，能实现电平正常翻转，还能满足下拉电路的低工作电压器件的耐压要求，能消除采用本征高压MOS器件时所带来的工艺成本高的缺陷或对工艺平台具有限制的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路(ic)，特别是涉及一种电平转换电路。

技术介绍

1、随着集成电路的发展，ic内部的典型工作电压已低于1v，最低可达0.6v，在ic芯片外部，电源电压依然可以是1.8v、2.5v、3.3v或者5v及更高电压，为适应各种应用场景，需要采用电平电压转换电路将ic内部的低压信号转换为对应的ic外部高压信号,ic外部的高压信号转换为ic内部相应的低压信号。

2、如图1所示，是现有第一种电平转换电路的电路图，图1为最传统的四管电平转换电路，包含一对高压pmos管p1、p2，一对高压nmos管n1、n2，pmos管p1与nmos管n1在第一电源电压即高压vh与地vss之间串联，pmos管p2与nmos管n2在高压vh与地vss之间串联，pmos管p1的栅极与nmos管n2和pmos管p2的漏极相连，pmos管p2的栅极与nmos管n1和pmos管p1的漏极相连，反相器的pmos管p3、nmos管n3串联在第二电源电压即低压vl与地vss之间，输入信号in_pl连接到nmos管n1栅极和反相器的输入端即pmos管p3、nmos本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于：所述第一子电路包括第一NMOS管；

3.如权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于：所述第二子电路包括第二NMOS管；

4.如权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于：所述偏置电压由偏置电路提供，所述偏置电路包括电流源和第一PMOS管；

5.如权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于：所述上拉电路包括第二PMOS管；

6.如权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于：所述上拉电路和所述下拉电路都为差分结构。

7.如权利要求6所述的...

【技术特征摘要】

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于：所述第一子电路包括第一nmos管；

3.如权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于：所述第二子电路包括第二nmos管；

4.如权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于：所述偏置电压由偏置电路提供，所述偏置电路包括电流源和第一pmos管；

5.如权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于：所述上拉电路包括第二pmos管；

6.如权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于：所述上拉电路和所述下拉电路都为差分结构。

7.如权利要求6所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽，李格，浦珺慧，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：