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本发明提供一种SiGe沟道的形成方法，提供FDSOI结构，FDSOI结构包括硅衬底、位于硅衬底上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层上的硅层；硅层上覆盖有硬掩膜层；在硬掩膜层上形成贯通其上下表面的凹槽区域，凹槽区域将硅层的上表面暴露；在凹槽区域...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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