【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体是一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法。
技术介绍
1、在进行suop(support open)1st wet etch(湿法蚀刻)时，middle nitride(中间氮化物)氧化界面损失的bottom oxide(底部氧化物)区域发生的蜗牛状defect(缺陷)。
2、如图2所示，tin depo(沉积)前middle nitride界面氧化膜(sio2)，在suop 1stwet etch时，bottom oxide受损；在suop 2nd etch step进行时，bottom受损。
技术实现思路
1、为克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，解决现有技术存在的底部氧化物区域发生蜗牛状缺陷等问题。
2、本专利技术解决上述问题所采用的技术方案是：
3、一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。
4、作为一种优选的技术方案，将暴露在大气中的sicn界面氧化为sio2。
5、作为一种优选的技术方案，在沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。
6、作为一种优选的技术方案，在tin沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。
7、作为一种优选的技术方案，预清洗采用湿法蚀刻工艺。
8、作为一种优选的技术方案，模版蚀刻采用harc蚀刻工艺。
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10、作为一种优选的技术方案，包括如下工艺：suop第一次蚀刻采用多晶硅回蚀工艺。
11、作为一种优选的技术方案，依次包括如下工艺：suop第一次蚀刻的suop第一次湿法蚀刻->suop第二次蚀刻。
12、作为一种优选的技术方案，该方法用于dram制造。
13、本专利技术相比于现有技术，具有以下有益效果：
14、(1)本专利技术减少了不良(defect)产生的wafer损失；
15、(2)本专利技术通过延长停滞时间周期来降低成本；
16、(3)本专利技术在没有新设备投资的情况下，利用已经使用中的工艺(alddeposition)技术，可以减少不良现象的发生，有助于半导体制造工艺的成本竞争力。
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1.一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。
2.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，将暴露在大气中的SiCN界面氧化为SiO2。
3.根据权利要求2所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。
4.根据权利要求3所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在TiN沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。
5.根据权利要求3所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，预清洗采用湿法蚀刻工艺。
6.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，模版蚀刻采用HARC蚀刻工艺。
7.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，依次包括如下工艺：模版蚀刻->原子层沉积->SUOP第一次蚀刻。
8.根据权利要求7所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损
9.根据权利要求8所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，依次包括如下工艺：SUOP第一次蚀刻的SUOP第一次湿法蚀刻->SUOP第二次蚀刻。
10.根据权利要求1至9任一项所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，该方法用于DRAM制造。
...【技术特征摘要】
1.一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。
2.根据权利要求1所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，将暴露在大气中的sicn界面氧化为sio2。
3.根据权利要求2所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。
4.根据权利要求3所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，在tin沉积进行前进行预清洗，将原子层沉积层去除。
5.根据权利要求3所述的一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，其特征在于，预清洗采用湿法蚀刻工艺。
6.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔珍善，郑锺浩，曹台勋，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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