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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种改善蚀刻工序中底部图案损伤的方法，在模版蚀刻进行后，通过原子层沉积技术，对暴露在大气中的氮化物界面进行氧化作用。本发明解决了现有技术存在的底部氧化物区域发生蜗牛状缺陷等问题。...
该专利属于成都高真科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都高真科技有限公司授权不得商用。

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