【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，更具体地说，它涉及单片机晶圆背面清洗装置及清洗方法。
技术介绍
1、在半导体制造的沉积过程中，如果在间歇式炉中进行薄膜沉积，薄膜将沉积在晶片的正面/背面。在制备过程中对晶圆正面沉积薄膜是有必要的，但是对晶圆背面沉积的薄膜是不必要的，需要去除。如果晶圆背面沉积的薄膜没有被移除，随着后续工艺中各种薄膜的积累，将发生晶圆翘曲，并在后续的拍摄中出现聚焦不良以及在包装锯切等中出现问题；此外，随着产品集成度的增加和电路宽度的减小，晶圆背面将沉积氧化物、聚乙烯、氮化硅等薄膜。
2、目前，为了去除晶圆背面的膜质，是在晶圆背面的中心以喷嘴喷射出化学品将膜质去除，但这种方式由于是从中心开始供应化学品，会导致晶圆背面薄膜去除的均匀性较差。所以，如果需去除的膜质较多，如聚乙烯，需要将晶圆翻转后保持背面保持在上面，再利用自动喷嘴对晶圆背面以扫描的方式进行化学分化，以清除膜质。然而，晶圆的翻转和喷嘴扫描控制在一定程度上增大了晶圆处理的成本和复杂度。
3、因此，如何研究设计一种能够克服上述缺陷的单片机晶圆背面清洗装置及清洗方法是我们目前急需解决的问题。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的不足，本专利技术的目的是提供单片机晶圆背面清洗装置及清洗方法，在旋转平台和晶圆背面之间安装喷嘴阵列，通过调节化学药品喷涂在晶圆背面的流量可以控制蚀刻速率，从而使晶圆背面的均匀性提高2.5％。
2、本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
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4、每一个环带区域均配置有一个独立的供给管路；
5、所述环带区域的上表面设有多个沿圆周方向间隔分布的喷嘴，所有的喷嘴均与相应的供给管路连通；
6、其中，供给管路将去离子水和化学药品输送至喷嘴，以对单片机晶圆背面进行清洗。
7、进一步的，所述供给管路连包括主管路、第一支路、第二支路、三通阀和截止阀；
8、所述第一支路和第二支路均通过三通阀与主管路的输入端口连接；
9、所述截止阀安装在主管路，通过响应外部控制器的控制信号实现主管路的输送流量调控。
10、进一步的，所述主管路安装有流量计；
11、所述流量计将检测的流量信号传输至外部控制器。
12、进一步的，所述环带区域中的喷嘴以喷出口靠近相应环带区域外径进行侧倾斜设置。
13、进一步的，半径大的所述环带区域中喷嘴的倾斜角度大于半径小的所述环带区域中喷嘴的倾斜角度；
14、所述喷嘴的倾斜角度为相应喷嘴的喷出方向相对于旋转平台中轴线最小的夹角。
15、进一步的，半径大的所述环带区域中喷嘴的半径大于半径小的所述环带区域中喷嘴的半径。
16、进一步的，所述喷嘴的孔径范围为0.1mm-3.0mm。
17、进一步的，所述喷嘴的喷出流量范围为0.1lpm-1.0lpm。
18、第二方面，提供了单片机晶圆背面清洗方法，包括以下步骤：
19、在旋转平台与晶圆背面之间配置多圈呈圆周阵列的喷嘴，每一圈呈圆周阵列的喷嘴对应旋转平台中不同半径的环带区域；
20、通过不同独立的供给管路向相应的呈圆周阵列的喷嘴输送不同流量的化学药品和去离子水，以调控晶圆背面沉积薄膜对应不同环带区域的蚀刻效率。
21、进一步的，该清洗方法还包括：
22、通过配置不同倾斜角度的喷嘴，以实现不同半径环带区域所对应的晶圆背面沉积薄膜的均匀性清洗；
23、和/或，通过配置不同孔径的喷嘴，以实现不同厚度的晶圆背面沉积薄膜的清洗。
24、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
25、1、本专利技术提供的单片机晶圆背面清洗装置，在旋转平台和晶圆背面之间安装喷嘴阵列，通过调节化学药品喷涂在晶圆背面的流量可以控制蚀刻速率，从而使晶圆背面的均匀性提高2.5％；
26、2、本专利技术由于不使用晶圆翻转功能，因此不需要反转单元，使器件结构简单，降低了器件成本；
27、3、本专利技术由于不需要翻转晶圆，所以可以对晶圆正面和背面同时展开操作；
28、4、本专利技术由于不需要翻转晶圆，不需要清除翻转单元，使用成本低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.单片机晶圆背面清洗装置，包括旋转平台(9)，其特征是，所述旋转平台(9)划分为多个同圆心分布的环带区域(8)；
2.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述供给管路连包括主管路(2)、第一支路(6)、第二支路(7)、三通阀(5)和截止阀(3)；
3.根据权利要求2所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述主管路(2)安装有流量计(4)；
4.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述环带区域(8)中的喷嘴(1)以喷出口靠近相应环带区域(8)外径进行侧倾斜设置。
5.根据权利要求4所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，半径大的所述环带区域(8)中喷嘴(1)的倾斜角度大于半径小的所述环带区域(8)中喷嘴(1)的倾斜角度；
6.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，半径大的所述环带区域(8)中喷嘴(1)的半径大于半径小的所述环带区域(8)中喷嘴(1)的半径。
7.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述喷嘴(1)的孔径范围为0.1mm-3.
8.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述喷嘴(1)的喷出流量范围为0.1LPM-1.0LPM。
9.单片机晶圆背面清洗方法，其特征是，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的单片机晶圆背面清洗方法，其特征是，该清洗方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.单片机晶圆背面清洗装置，包括旋转平台(9)，其特征是，所述旋转平台(9)划分为多个同圆心分布的环带区域(8)；
2.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述供给管路连包括主管路(2)、第一支路(6)、第二支路(7)、三通阀(5)和截止阀(3)；
3.根据权利要求2所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述主管路(2)安装有流量计(4)；
4.根据权利要求1所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，所述环带区域(8)中的喷嘴(1)以喷出口靠近相应环带区域(8)外径进行侧倾斜设置。
5.根据权利要求4所述的单片机晶圆背面清洗装置，其特征是，半径大的所述环带区域(8)中喷嘴(...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘钟埈，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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