【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体切割方法。
技术介绍
1、随着半导体技术进入后摩尔时代，为满足高集成度和高性能的需求，芯片结构向着三维方向发展。其中，键合技术是实现“异质混合”、“超摩尔定律”的重要技术之一。
2、键合技术能够将不同制程的芯片进行高密度的互连，实现更小尺寸、更高性能和更低功耗的系统级集成。芯片与晶圆的键合(chip to wafer，简称c2w)利用纯金属键合或混合键合实现键合。其中，混合键合具有更高的输入/输出(i/o)连接密度及更好的散热性能。相关技术中，通常将经过切割后的芯片与晶圆或者晶圆与晶圆进行混合键合，或混合键合后再切割。
3、然而，切割过程会降低芯片或晶圆的表面平整度和清洁度，导致混合键合良率较低，影响混合键合后的芯片性能。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体切割方法，能够解决切割过程会降低芯片或晶圆的表面平整度和清洁度，导致混合键合良率较低，影响混合键合后的芯片性能的技术问题。
2、本公开提供了一种半导体切割方法，包括：
3、提供层叠设置的半导体堆叠件和第一载片；
4、将所述半导体堆叠件和所述第一载片设置于第二载片上，所述半导体堆叠件位于所述第一载片靠近所述第二载片的一侧，且与所述第二载片通过键合胶连接；
5、去除所述第一载片，保留所述半导体堆叠件以及所述第二载片；
6、切割所述半导体堆叠件，形成多个分立的半导体堆叠单元。
7、在上述的半导体切
8、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述半导体堆叠件包括半导体层；
9、切割所述半导体堆叠件之后，还包括：混合键合相邻的两个所述半导体层并形成所述半导体堆叠单元。
10、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述第二载片的材料为硅或氧化硅。
11、在上述的半导体切割方法中，可选的是，在去除所述第一载片之后，在切割所述半导体堆叠件之前，还包括：
12、减薄处理位于所述第二载片上的所述半导体堆叠件。
13、在上述的半导体切割方法中，可选的是，去除所述第一载片包括：
14、通过打磨、化学机械抛光和刻蚀工艺去除所述第一载片。
15、在上述的半导体切割方法中，可选的是，切割所述半导体堆叠件包括：
16、通过全等离子刻蚀工艺切割所述半导体堆叠件。
17、在上述的半导体切割方法中，可选的是，切割所述半导体堆叠件之后，还包括：
18、分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片。
19、在上述的半导体切割方法中，可选的是，分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片包括：
20、通过光照分解所述键合胶，以分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片；
21、或者，通过激光或刀具切割所述键合胶，以分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片；
22、或者，通过解离胶分解所述键合胶，以分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片。
23、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述第一载片与所述半导体堆叠件通过熔融键合的方式连接。
24、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述半导体堆叠件包括相互堆叠的晶圆；
25、或者，所述半导体堆叠件包括相互堆叠的晶圆和芯片，所述芯片位于所述晶圆远离所述第二载片的一侧。
26、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述半导体键合件包括层叠设置的第一键合层、器件层和第二键合层，所述第一键合层和所述第二键合层通过所述器件层连接。
27、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述器件层包括第一键合结构和第二键合结构，沿所述第一键合层的延伸方向，所述第一键合结构和所述第二键合结构依次交替排布；
28、所述第一键合结构和所述第二键合结构的材料不同。
29、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述第一键合结构的材料为金属，和/或，所述第二键合结构的材料为无机氧化材料。
30、在上述的半导体切割方法中，可选的是，所述半导体键合件中设置有互连结构，所述互连结构包括第一连接部、中间连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部通过所述中间连接部连接，所述第一连接部与所述第一键合层电连接，所述第二连接部与所述第二键合层电连接，所述中间连接部位于所述器件层中。
31、本公开提供的半导体切割方法，通过在第一载片上形成层叠设置的半导体堆叠件和第一载片，并将半导体堆叠件转移至第二载片上，半导体堆叠件在与第二载片通过键合胶形成临时键合，通过采用临时键合的形式将半导体堆叠件设置在第二载片上，第二载片可以替代传统的半导体框架支撑，进而使得半导体堆叠件可以位于采用全等离子刻蚀切割的机台上，并进行进一步地的切割，可以降低切割过程中颗粒物产生的可能性，并且提升芯片或者晶圆的表面平整度和清洁度，进而提升混合键合的良品率，保证混合键合后的芯片性能。
32、本公开的构造以及它的其他申请目的及有益效果会通过结合附图而优选实施条例的描述而更加明显易懂。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体切割方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体堆叠件为通过混合键合形成的半导体键合件。
3.根据权利要求1所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体堆叠件包括半导体层；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，所述第二载片的材料为硅或氧化硅。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，在去除所述第一载片之后，在切割所述半导体堆叠件之前，还包括：
6.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，去除所述第一载片包括：
7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，切割所述半导体堆叠件包括：
8.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，切割所述半导体堆叠件之后，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体切割方法，其特征在于，分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片包括：
10.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，
11.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体堆叠件包括相互堆叠的晶圆；
12.根据权利要求2所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体键合件包括层叠设置的第一键合层、器件层和第二键合层，所述第一键合层和所述第二键合层通过所述器件层连接。
13.根据权利要求12所述的半导体切割方法，其特征在于，所述器件层包括第一键合结构和第二键合结构，沿所述第一键合层的延伸方向，所述第一键合结构和所述第二键合结构依次交替排布；
14.根据权利要求13所述的半导体切割方法，其特征在于，所述第一键合结构的材料为金属，和/或，所述第二键合结构的材料为无机氧化材料。
15.根据权利要求12所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体键合件中设置有互连结构，所述互连结构包括第一连接部、中间连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部通过所述中间连接部连接，所述第一连接部与所述第一键合层电连接，所述第二连接部与所述第二键合层电连接，所述中间连接部位于所述器件层中。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体切割方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体堆叠件为通过混合键合形成的半导体键合件。
3.根据权利要求1所述的半导体切割方法，其特征在于，所述半导体堆叠件包括半导体层；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，所述第二载片的材料为硅或氧化硅。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，在去除所述第一载片之后，在切割所述半导体堆叠件之前，还包括：
6.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，去除所述第一载片包括：
7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，切割所述半导体堆叠件包括：
8.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于，切割所述半导体堆叠件之后，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体切割方法，其特征在于，分离所述半导体堆叠单元和所述第二载片包括：
10.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体切割方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：方青春，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。