优化线端尺寸补偿的OPC处理方法技术

本发明专利技术公开了一种优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，包括如下步骤：在版图对应的图层中选择具有受光罩制作尺寸限制的第一图形位置，将第一图形位置对应的线端作为需优化线端。对需优化线端进行初始尺寸补偿，初始尺寸补偿完成后保证第一图形位置处的图形尺寸大于等于光罩制作尺寸限制值。对需优化线端进行分段并得到多个线端区段，包括和第一图形位置邻接的邻接段以及邻接段之外的非邻接段。对非邻接段进行补充尺寸补偿。本发明专利技术能消除光罩制作尺寸对线端尺寸补偿的限制，从而实现对线端尺寸补偿优化并从而保证图形工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种优化线端尺寸补偿的光学邻近效应修正(optical proximity correction，opc)处理方法。

技术介绍

1、在opc处理过程中，为保证结果的准确性，会根据光刻、刻蚀等工艺结果对图形进行尺寸补偿。如图1a所示，是现有adi的图形照片，图1a的照片和光刻工艺结果相关，图1a中显示了一层图层显影后转移到晶圆上的光刻胶图形，可以看出图形中包括了多根线条，虚线圈101所示区域为其中一个线端。如图1b所示，是现有aei的图形照片，图1b的照片是在光刻工艺的基础上进一步和刻蚀工艺相关，图1b中显示了以光刻胶图形为掩膜进行刻蚀后转移到晶圆上膜层中图形，可以看出图形中包括了多根线条，虚线圈102所示区域为其中一个线端。在opc处理过程宗中，线长方向和线端方向的尺寸补偿量不同，通常线端方向补偿量更大。

2、对于部分线端受光罩制作尺寸限制的图形结构，这些受光罩制作尺寸限制的图形结构对应的线端如图1a中虚线圈101所示区域的线端以及图1b中的虚线圈102所示区域的线端，而在图1c所示的现有线端受本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，其特征在于：所述线端包括线宽末端和线间距末端。

3.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，其特征在于：所述线端的长度小于等于被切割层关键尺寸的2倍。

4.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，其特征在于：所述初始尺寸补偿之前，所述第一图形位置处的图形尺寸小于所述光罩制作尺寸限制值和所述尺寸补偿量的和。

5.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，其特征在于：所述初始尺寸补...

【技术特征摘要】

1.一种优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述线端包括线宽末端和线间距末端。

3.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述线端的长度小于等于被切割层关键尺寸的2倍。

4.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述初始尺寸补偿之前，所述第一图形位置处的图形尺寸小于所述光罩制作尺寸限制值和所述尺寸补偿量的和。

5.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述初始尺寸补偿完成后使所述第一图形位置处的图形尺寸等于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪悦，张月雨，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：