本发明专利技术涉及半导体光刻技术领域，更具体地，涉及一种EUV掩模缺陷检测系统装调对准方法。本发明专利技术利用第一四象限探测器和光瞳监视器的功能特性实现调焦校准，第一四象限探测器能够计算出光斑中心与第一四象限探测器中心的偏离值，从而检测光斑的位置，光瞳监视器是掩模缺陷检测装置中需要的一个部件，功能也是光瞳的检测，本发明专利技术刚好利用其进行光阑的装调，第一四象限探测器和光瞳监视器在非真空环境时就安装在装置内，因此在真空环境时，本发明专利技术不用反复拆装CCD相机，也不用反复破真空，装调精度高，时间短，解决了现有技术中的大部分问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光刻，更具体地，涉及一种euv掩模缺陷检测系统装调对准方法。
技术介绍
1、芯片是关键产业价值链的战略资产，euv光刻(extreme ultra-violet，极紫外光刻)技术是前沿芯片制造中的核心技术。光刻工艺中要求掩模零缺陷，而要制作零缺陷的掩模几乎不可能，因此掩模缺陷的检测，去除和修复是极其重要的。euv光在绝大多数物质中都易被吸收，euv光学系统需在真空环境下搭建，euv光刻光学元件都采用反射型元件，包括euv掩模，为了提高euv光的反射率，目前euv掩模为mo/si多层膜组成的反射式结构，周期数为40～50，总厚度为280～350nm。euv掩模缺陷包括振幅型和相位型两种缺陷，相位型的掩模缺陷在检测时需要光深入多层膜中，而duv波段的光或电子只能穿透euv多层膜的1～3个周期，只有euv光在多层膜中穿透深度足够才能最终到缺陷检测目的，所以euv掩模缺陷检测必须采用检测波长的检测方法。
2、经过研究发现，同步辐射光源可以提供高单色性，无污染的euv光，虽然功率低，无法用于工业化光刻曝光，但极其适合用于euv掩模的检本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种EUV掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种EUV掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，所述步骤S1的具体操作方法为：在装置中利用水平仪对掩模版(1)进行调平，并利用激光测距仪确定掩模版(1)高度，利用望远镜(8)在CCD相机(15)的安装中心处进行观察，利用第一电动位移台(100)调整掩模版(1)位置，直至掩模版(1)的标记点与CCD相机(15)的安装中心对准。
3.根据权利要求2所述的一种EUV掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，所述步骤S2的具体操作步骤为：
>4.根据权利要求3...
【技术特征摘要】
1.一种euv掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种euv掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，所述步骤s1的具体操作方法为：在装置中利用水平仪对掩模版(1)进行调平，并利用激光测距仪确定掩模版(1)高度，利用望远镜(8)在ccd相机(15)的安装中心处进行观察，利用第一电动位移台(100)调整掩模版(1)位置，直至掩模版(1)的标记点与ccd相机(15)的安装中心对准。
3.根据权利要求2所述的一种euv掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，所述步骤s2的具体操作步骤为：
4.根据权利要求3所述的一种euv掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，所述步骤s4的具体操作方法为：在第一电控位移台(100)上安装第一四象限探测器(5)和光瞳监视器(6)，标定好第一四象限探测器(5)到掩模版(1)的标记点的距离，标定好后将望远镜(8)替换为ccd相机(15)并撤离第二显微镜(12)，撤离可见光激光器并替换为同步辐射光源，而后将装置抽真空，真空度不小于10-7torr。
5.根据权利要求4所述的一种euv掩模缺陷检测系统装调对准方法，其特征在于，所述步骤s5的具体步骤包括：
6.根据权利要求5所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：周舟，付锦江，邓淑营，骆钧尧，邢振江，李焜阳，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。