【技术实现步骤摘要】
本公开涉及在单次光刻曝光通过过程中形成多个空间图像。下面讨论的技术可以用于例如形成三维半导体组件。
技术介绍
1、光刻是在诸如硅晶片等基底上图案化半导体电路系统的工艺。光刻光源提供用于在晶片上曝光光刻胶的深紫外(duv)光。用于光刻的duv光由准分子光源生成。通常，光源是激光源，并且脉冲光束是脉冲激光束。光束通过光束传送单元、掩模版或掩模，并且然后投射到制备的硅晶片上。以这种方式，芯片设计被图案化到光刻胶上，光刻胶然后被蚀刻和清洁，并且然后该过程重复。
技术实现思路
1、在一个总体方面，一种使用光刻系统形成三维半导体组件的方法包括：沿着传播方向朝向掩模引导脉冲光束，脉冲光束包括多个光脉冲；在单次曝光通过过程期间使光束中的光脉冲的集合朝向晶片穿过掩模；在单次曝光通过过程期间基于该脉冲的集合中的穿过掩模的光脉冲来在晶片上生成至少第一空间图像和第二空间图像，第一空间图像在晶片上的第一平面处并且第二空间图像在晶片上的第二平面处，第一平面和第二平面在空间上彼此不同并且沿着传播方向以分离距离彼此分离；以及基于第一空间图像中的光与晶片的第一部分中的材料之间的相互作用和第二空间图像中的光与晶片的第二部分中的材料之间的相互作用，来形成三维半导体组件。该脉冲的集合中的至少一个脉冲具有第一主波长并且该脉冲的集合中的至少一个其他脉冲具有与第一主波长不同的第二主波长，使得在单次曝光通过过程期间基于第一主波长与第二主波长之差形成分离距离。
2、实现可以包括以下特征中的一项或多项。在单次曝光通过过程
3、每个主波长可以以200飞米(fm)至500皮米(pm)的光谱分离与最近的其他主波长分离。
4、第一空间图像与第二空间图像之间的分离距离在单次曝光通过过程期间可以改变。
5、单次曝光通过过程可以是第一曝光通过过程，并且该方法还可以包括：在第二曝光通过过程期间并且在第一曝光通过过程完成之后，使光束中的光脉冲的第二集合朝向晶片穿过掩模。第一空间图像与第二空间图像之间的分离距离在第一曝光通过过程和第二曝光通过过程期间不同。
6、第一空间图像与第二空间图像之间的分离距离可以在单次曝光通过过程之前设置的，并且在一些实现中，分离距离在单次曝光通过过程期间不改变。第一空间图像与第二空间图像之间的分离距离可以被设置以适应光刻系统的一个或多个特征。
7、该脉冲的集合可以包括第一组光脉冲和第二组光脉冲，第一组光脉冲中的每个脉冲具有第一主波长，第二组光脉冲中的每个脉冲可以具有第二主波长，并且该方法还可以包括：控制第一组脉冲的属性，从而控制第一空间图像中的光量；以及控制第二组脉冲的属性，从而控制第二空间图像中的光量。第一组的属性可以是第一组中的脉冲计数，并且第二组的属性可以是第二组中的脉冲计数。控制第一组中的脉冲计数可以包括：在单次曝光通过过程开始之前，确定要包括在第一组脉冲中的第一脉冲数，以及控制第二脉冲数可以包括：在单次曝光通过过程之前，确定要包括在第二组脉冲中的第二脉冲数。第一组脉冲和第二组脉冲可以包括在单次曝光通过过程中穿过掩模的所有脉冲。确定第一脉冲数和第二脉冲数可以包括以下中的一项或多项：(a)从操作者接收输入；以及(b)访问与光刻系统相关联的预定义设置。第一组脉冲的属性可以包括第一组中的每个脉冲的强度，并且第二组脉冲的属性可以包括第二组中的每个脉冲的强度。
8、晶片上的第一平面和晶片上的第二平面可以是基本垂直于传播方向的平面。
9、在一些实现中，在第一平面处形成有三维半导体的第一特征，在第二平面处形成有三维半导体的第二特征，并且第一特征和第二特征通过基本平行于传播方向延伸的侧壁彼此移位。
10、三维半导体组件可以是三维nand闪存组件。
11、第一平面可以对应于第一焦平面并且第二平面对应于第二焦平面，并且第一平面与第二平面之间的分离距离基于穿过掩模的光脉冲中的一个或多个波长之差或该脉冲的集合中的离散脉冲之间的波长之差。
12、在另一方面，一种光刻系统包括：光源；光刻扫描仪装置，包括被定位为与来自光源的脉冲光束相互作用的掩模，、和晶片保持器；以及耦合到光源的控制系统，控制系统被配置为在单次曝光通过过程期间引起光源朝向光刻扫描仪装置发射脉冲光束，使得在单次曝光通过过程期间，基于光脉冲的集合中的沿着传播方向穿过掩模的光脉冲，在被接纳在晶片保持器处的晶片上形成至少第一空间图像和第二空间图像，第一空间图像在晶片上的第一平面处并且第二空间图像在晶片上的第二平面处，第一平面和第二平面在空间上彼此不同并且沿着传播方向以分离距离彼此分离，并且基于第一空间图像中的光与晶片的第一部分中的材料之间的相互作用和第二空间图像中的光与晶片的第二部分中的材料之间的相互作用，形成三维半导体组件。该脉冲的集合中的至少一个脉冲具有第一主波长，该脉冲的集合中的至少一个其他脉冲具有与第一主波长不同的第二主波长，并且第一空间图像与第二空间图像之间的分离距离基于第一主波长与第二主波长之差。
13、实现可以包括以下特征中的一项或多项。该控制系统可以包括计算机可读存储介质、耦合到计算机可读存储介质的一个或多个电子处理器、和输入/输出接口，并且与光刻系统有关的配方被存储在计算机可读存储介质上。配方可以指定分离距离。配方在每晶片或每批次的基础上指定分离距离。光源可以包括氟化氪(krf)增益介质或氟化氩(arf)增益介质。
14、以上和本文中描述的任何技术的实现可以包括过程、装置、控制系统、存储在非暂态机器可读计算机介质上的指令、和/或方法。在附图和以下描述中阐述了一种或多种实现的细节。根据说明书和附图以及权利要求书，其他特征将很清楚。
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1.一种光刻系统，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括关于单个主波长将要被用于所述光脉冲中的一系列脉冲的指示。
3.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括所述光脉冲的一个或多个主波长的指示。
4.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括：
5.一种系统，包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述处理器被配置为在所述信号内标识脉冲的所述定时的所述指示，并且基于脉冲的所述定时的所述指示来触发由所述脉冲光源发射的光脉冲。
7.根据权利要求5所述的系统，其中所述处理器被配置为在所述信号内标识所述光谱分离的所述指示，并且基于所述光谱分离的所述指示来抖动或切换由所述脉冲光源发射的脉冲的波长。
8.根据权利要求5所述的系统，其中所述信号包括关于单个主波长将要被用于所述光脉冲中的一系列脉冲的指示。
9.根据权利要求5所述的系统，其中所述信号包括所述光脉冲的一个或多个主波长的指示。
10.根据权利要求5所述的系统，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种光刻系统，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括关于单个主波长将要被用于所述光脉冲中的一系列脉冲的指示。
3.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括所述光脉冲的一个或多个主波长的指示。
4.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括：
5.一种系统，包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述处理器被配置为在所述信号内标识脉冲的所述定时的所述指示，并且基于脉冲的所述定时的所述指示来触...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·E·康利，J·J·索内斯，G·A·瑞克斯泰纳，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：
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