【技术实现步骤摘要】
本公开涉及在单次光刻曝光通过过程中形成多个空间图像。下面讨论的技术可以用于例如形成三维半导体组件。
技术介绍
1、光刻是在诸如硅晶片等基底上图案化半导体电路系统的工艺。光刻光源提供用于在晶片上曝光光刻胶的深紫外(duv)光。用于光刻的duv光由准分子光源生成。通常，光源是激光源，并且脉冲光束是脉冲激光束。光束通过光束传送单元、掩模版或掩模，并且然后投射到制备的硅晶片上。以这种方式，芯片设计被图案化到光刻胶上，光刻胶然后被蚀刻和清洁，并且然后该过程重复。
技术实现思路
1、在一个总体方面，一种使用光刻系统形成三维半导体组件的方法包括：沿着传播方向朝向掩模引导脉冲光束，脉冲光束包括多个光脉冲；在单次曝光通过过程期间使光束中的光脉冲的集合朝向晶片穿过掩模；在单次曝光通过过程期间基于该脉冲的集合中的穿过掩模的光脉冲来在晶片上生成至少第一空间图像和第二空间图像，第一空间图像在晶片上的第一平面处并且第二空间图像在晶片上的第二平面处，第一平面和第二平面在空间上彼此不同并且沿着传播方向以分离距离彼此分离；...
【技术保护点】
1.一种光刻系统，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括关于单个主波长将要被用于所述光脉冲中的一系列脉冲的指示。
3.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括所述光脉冲的一个或多个主波长的指示。
4.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括：
5.一种系统，包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述处理器被配置为在所述信号内标识脉冲的所述定时的所述指示，并且基于脉冲的所述定时的所述指示来触发由所述脉冲光源发射的光脉冲。
7.根据权利要求5所述的系统，其中所述处理器被配置为...
【技术特征摘要】
1.一种光刻系统，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括关于单个主波长将要被用于所述光脉冲中的一系列脉冲的指示。
3.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述信号包括所述光脉冲的一个或多个主波长的指示。
4.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括：
5.一种系统，包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述处理器被配置为在所述信号内标识脉冲的所述定时的所述指示，并且基于脉冲的所述定时的所述指示来触...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·E·康利，J·J·索内斯，G·A·瑞克斯泰纳，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。