【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及到一种保持晶圆表面温度一致性的清洗装置及方法。
技术介绍
1、为了提升半导体加工过程中晶圆加工良率，半导体清洗工艺中对于晶圆边缘位置和中心位置的清洗过程控制日渐重要。
2、在半导体清洗工艺中，需要采用清洗液对晶圆表面不同位置进行清洗，在清洗后会导致晶圆表面不同位置之间产生温度差异，特别在晶圆的中心位置与边缘位置在清洗结束后能够达到5℃的差异，进而对晶圆表面产生非一致性影响。
3、因此，如何保证半导体加工过程中晶圆表面不同位置清洗后的温度一致性，是一个亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种保持晶圆表面温度一致性的清洗装置及方法，旨在解决目前半导体加工工艺中，对晶圆表面不同位置进行清洗后，会导致晶圆表面不同位置之间的温度差异，影响表面不同位置一致性的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，所述装置包括清洗基台和清洗设备；其中：
3、待清...
【技术保护点】
1.一种保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述装置包括清洗基台和清洗设备；其中：
2.如权利要求1所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述清洗基台采用旋转基台，在所述晶圆清洗时，用于与所述位置调节件配合，对所述晶圆表面不同位置进行清洗。
3.如权利要求1所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述位置调节件采用伸缩定位结构。
4.如权利要求1所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述清洗喷管包括第一臂管、第二臂管和若干个毛细管，所述毛细管设置于所述第一臂管和所述第二臂管之间，所述...
【技术特征摘要】
1.一种保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述装置包括清洗基台和清洗设备；其中：
2.如权利要求1所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述清洗基台采用旋转基台，在所述晶圆清洗时，用于与所述位置调节件配合，对所述晶圆表面不同位置进行清洗。
3.如权利要求1所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述位置调节件采用伸缩定位结构。
4.如权利要求1所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述清洗喷管包括第一臂管、第二臂管和若干个毛细管，所述毛细管设置于所述第一臂管和所述第二臂管之间，所述加热装置设置于所述毛细管外壁，对所述毛细管内的清洗液进行加热。
5.如权利要求4所述的保持晶圆表面温度一致性的清洗装置，其特征在于，所述第一臂管和所述第二壁管的直径尺寸为1/4英...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴英植，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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