晶圆清洗方法及装置制造方法及图纸

本申请揭示了一种对抛光后的晶圆表面进行清洗的晶圆清洗方法和装置。晶圆清洗方法包括：S101，采用DIW对晶圆表面进行润湿；S102，采用具有第一预设温度的SC1对晶圆表面进行喷淋；S103，继续采用具有第一预设温度的SC1对晶圆表面进行喷淋，并同时控制毛刷对晶圆表面进行刷洗；S104，采用具有第二预设温度的DIW对刷洗之后的晶圆表面进行喷淋清洗第一预设时间；S105，循环执行步骤S103至S104，直至第一预设次数；S106，采用DHF与DIO3对执行步骤S105之后的晶圆表面进行交替清洗。通过上述方式，在多次连续刷洗中增加第二预设温度的DIW喷淋清洗的过渡步骤，充分去除单次刷洗后晶圆表面的残留物质，有效提高了对抛光后晶圆的清洗效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体清洗领域，特别是涉及一种晶圆清洗方法及装置，用于对抛光后的晶圆表面进行清洗。

技术介绍

1、在晶圆制造流程中，晶圆单面抛光是晶圆的主要抛光方式之一，具有平坦度高、技术发展成熟等优点，其工序主要包括涂蜡、贴片、抛光、预清洗和卸片等。然而晶圆在进行抛光工序后，晶圆正面会残留大量含有微米、纳米级颗粒的抛光液，晶圆背面会残留贴片所需的树脂蜡，清洗难度较大。因此，对抛光后的晶圆表面进行清洗对产品良率起到关键影响，也是晶圆生产的重要环节之一。

2、目前，对抛光后的晶圆表面进行清洗的方式主要包括多槽浸泡式化学湿法清洗和单片接触式清洗两种。多槽浸泡式化学湿法清洗是将晶圆依次放置在dio3(臭氧去离子水)、dhf(稀氢氟酸)、sc1(氨水、双氧水以及水的混合物)、diw(去离子水)等化学槽中浸泡，以去除晶圆表面颗粒、沾污及自然氧化层，具有发展成熟、高产能的优点。单片接触式清洗则是首先在单片刷洗腔中利用毛刷与晶圆接触的摩擦过程中，结合sc1等清洁剂的作用去除表面颗粒，再进入单片清洗腔通过dio3、dhf剥离表面氧化层去除金属残留。单片接触式清洗与多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆清洗方法，用于对抛光后的晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在步骤S106之前，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度在25℃至70℃之间。

4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间在10s至120s之间。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二预设温度在35℃至85℃之间。

6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述毛刷的刷洗速度在6mm/s至18mm/s之间。...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆清洗方法，用于对抛光后的晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在步骤s106之前，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度在25℃至70℃之间。

4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间在10s至120s之间。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二预设温度在35℃至85℃之间。

6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述毛刷的刷洗速度在6mm/s至18mm/s之间。

7.一种晶圆清洗方法，用于对抛光后的晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在步骤s206之前，所述方法还包括：

9.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设功率在2w至10w之间。

10.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度在25℃至70℃之间。

11.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述毛刷的刷洗速度在6mm/s至18mm/s之间。

12.一种晶圆清洗方法，用于对抛光后的晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：

13.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在步骤s304之前，所述方法还包括：

14.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设功率在2w至10w之间。

15.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度在25℃至70℃之间。

16.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述毛刷的刷洗速度在6mm/s至18mm/s之间。

17.一种晶圆清洗方法，用于对抛光后的晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：

18.根据权利要求17所述的晶圆清洗方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱桐桐，周飞，柴广明，仰庶，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：