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本申请揭示了一种对抛光后的晶圆表面进行清洗的晶圆清洗方法和装置。晶圆清洗方法包括:S101,采用DIW对晶圆表面进行润湿;S102,采用具有第一预设温度的SC1对晶圆表面进行喷淋;S103,继续采用具有第一预设温度的SC1对晶圆表面进行喷淋...该专利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盛美半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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