【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种刻蚀装置和等离子刻蚀系统。
技术介绍
1、半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
2、刻蚀是半导体器件制造过程中的必要步骤，一般利用刻蚀工艺从半导体器件去除不需要的部分。
3、刻蚀过程中，工艺气体通过喷嘴进入反应腔内，同时喷嘴作为一个密封件起到腔室密封的作用，并且喷嘴上一般会有昂贵的涂层来增长喷嘴的使用寿命。
4、但是，由于密封圈在高温过后会产生粘性导致喷嘴拆卸受到粘附力影响，在多次拆装过程中喷嘴可能会被损伤，因此，喷嘴与反应腔的密封效果需要被保证，以防止工艺气体通过喷嘴与反应腔之间的缝隙扩散至反应腔内，而影响反应结果。
5、因此，如何保证喷嘴与反应腔的密封效果，以保证反应效果，是本领技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术提供了一种刻蚀装置，保证喷嘴与反应腔的密封效果，以保证反应...
【技术保护点】
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，还包括保护套，所述反应腔主体具有安装槽，所述保护套嵌入所述安装槽内，且所述保护套与所述安装槽之间密封，并且保护套与介质窗之间密封连接固定；
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷嘴靠近所述进气管的一端具有向外凸出的凸缘；
4.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述保护套为台阶圆环，包括靠近所述进气管的第一段和远离所述进气管的第二段，所述第一段的外径大于所述第一二段的外径，所述第一段的内圈具有所述缺口，所述第一段内圈台阶与喷嘴接触...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，还包括保护套，所述反应腔主体具有安装槽，所述保护套嵌入所述安装槽内，且所述保护套与所述安装槽之间密封，并且保护套与介质窗之间密封连接固定；
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷嘴靠近所述进气管的一端具有向外凸出的凸缘；
4.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述保护套为台阶圆环，包括靠近所述进气管的第一段和远离所述进气管的第二段，所述第一段的外径大于所述第一二段的外径，所述第一段的内圈具有所述缺口，所述第一段内圈台阶与喷嘴接触，所述第二段与介质窗密封连接；
5.根据权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷嘴的凸缘与所述保护套的所述第一段周向限位连接。
6.根据权利要求5所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷嘴的凸缘的外圈具有第一凹陷部，所述保护套的第一段的内圈具有朝向所述喷嘴凸出的第一凸部，所述第一凹陷部能够与所述第一凸部卡接。
7.根据权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述保护套与所述反应腔主体周向限位连接。
8.根据权利要求7所述的刻蚀装置，其特征在于，所述保护套的第一段的外圈具有朝向所述安装...
【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，刘海洋，李雪冬，陈帅，贺小明，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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