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本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生...
该专利属于洪启集成电路（珠海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过洪启集成电路（珠海）有限公司授权不得商用。

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