集成电路、其电源门控单元及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种集成电路、集成电路上的电源门控单元及其制造方法。电源门控单元包括：中心区域；围绕中心区域的周边区域；第一有源区域位于中心区域，所述第一有源区域在第一方向上具有第一宽度，所述第一宽度对应于在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构；多个第二有源区域位于周边区域中，每个第二有源区域在第一方向上具有第二宽度，该第二宽度对应于在第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构。少一个且不超过三个的鳍结构。少一个且不超过三个的鳍结构。

【技术实现步骤摘要】
集成电路、其电源门控单元及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例涉及集成电路、其电源门控单元及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计方面的技术进步已产生了几代IC，其中每一代都比前一代具有更小、更复杂的电路。然而，这些优势增加了加工和制造IC的复杂性，为实现这些进步，在IC工艺和制造方面需要进行相似的发展。在IC发展的主流过程中，功能密度(即，每个芯片面积互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小元件)则已减小。但这种主流发展需要通过在设施建立上进行巨额投资来遵循摩尔法则。因此，一直需要开发具有更小芯片面积、更低成本和更好功率转换效率的IC。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种集成电路上的电源门控单元，包括：中心区域；周边区域，围绕中心区域；第一有源区域，位于中心区域内，第一有源区域在第一方向上具有第一宽度，第一宽度与在垂直于第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构对应；以及多个第二有源区域，位于周边区域内，每个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路上的电源门控单元，包括：中心区域；周边区域，围绕所述中心区域；第一有源区域，位于所述中心区域内，所述第一有源区域在第一方向上具有第一宽度，所述第一宽度与在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构对应；以及多个第二有源区域，位于所述周边区域内，每个第二有源区域在所述第一方向上具有第二宽度，所述第二宽度与在所述第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构对应。2.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，所述集成电路具有在所述第二方向上延伸的全局鳍栅格组，并且与所述第一有源区域对应的所述至少四个鳍结构与所述全局鳍栅格组对齐。3.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，与所述多个第二有源区域中的每一个对应的所述至少一个且不超过三个的鳍结构不与所述全局鳍栅格组对齐。4.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，所述电源门控单元是头部单元，所述头部单元配置为响应于控制信号而切断到所述集成电路上的标准逻辑单元的电源。5.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，所述电源门控单元是脚部单元，所述脚部单元配置为响应于控制信号而切断到所述集成电路上的标准逻辑单元的电源。6.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，所述第二宽度对应于一个鳍结构。7.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，所述第二宽度对应于两个鳍结构。8.根据权利要求1所述的电源门控单元，其中，所述第二宽度对应于三个鳍...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玮玲，杨荣展，田丽钧，陈庭榆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：